特許
J-GLOBAL ID：201303030855475361

酸化物半導体膜の処理方法および半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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大野 普司

大野 普司 について

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佐藤 優一

佐藤 優一 について

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肥塚 純一

肥塚 純一 について

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手塚 祐朗

手塚 祐朗 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-159183
公開番号（公開出願番号）：特開2013-048217
出願日： 2012年07月18日
公開日（公表日）： 2013年03月07日
要約：
【課題】トランジスタに用いることが可能な、低抵抗領域を有する酸化物半導体膜を提供する。また、高速動作が可能な、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを生産性高く提供する。また、高速動作が可能な、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを有する高性能の半導体装置を生産性高く提供する。【解決手段】酸化物半導体膜上に還元性を有する膜を成膜し、次に酸化物半導体膜から還元性を有する膜へ酸素の一部を移動させ、次に還元性を有する膜を介して酸化物半導体膜に不純物を注入した後、還元性を有する膜を除去することで、酸化物半導体膜に低抵抗領域を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化物半導体膜上に還元性を有する膜が設けられており、 前記酸化物半導体膜の酸素の一部を前記還元性を有する膜へ移動させた後、前記還元性を有する膜を除去することを特徴とする酸化物半導体膜の処理方法。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/477 ,  H01L 21/425 ,  H01L 21/385
FI (7件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 616V ,  H01L21/265 H ,  H01L21/477 ,  H01L21/425 ,  H01L21/385
Fターム (36件)：
5F110AA01 ,  5F110AA02 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE32 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG01 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ22 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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