特許
J-GLOBAL ID：201303028231775714

半導体装置およびその作製方法

発明者：
坂田 淳一郎

坂田 淳一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-118160
公開番号（公開出願番号）：特開2013-008959
出願日： 2012年05月24日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
要約：
【課題】同一基板上に酸化物半導体を用いたオフセットトランジスタとオフセットでないトランジスタを形成する。【解決手段】酸化物半導体層202とゲート絶縁物203とゲート配線となる第1層配線204a、第1層配線204bを形成する。その後、オフセットトランジスタをレジスト206で覆い、酸化物半導体層に不純物を導入し、N型酸化物半導体領域207を形成する。その後、第2層配線209a、第2層配線209b、第2層配線209cを形成する。以上の工程により、オフセットトランジスタとそうでないトランジスタ(アラインドトランジスタ等)を形成することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1トランジスタと、第2トランジスタと、を有し、 前記第1トランジスタは、第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極に隣接する第1のゲート絶縁物と、前記第1のゲート絶縁物を介して前記第1のゲート電極と隣接する第1の酸化物半導体層と、前記第1の半導体層に接する第1のソース電極及び第1のゲート電極とからなり、 前記第2トランジスタは、第2のゲート電極と、前記第2のゲート電極に隣接する第2のゲート絶縁物と、前記第2のゲート絶縁物を介して前記第2のゲート電極と隣接する第2の酸化物半導体層と、前記第2の半導体層に接する第2のソース電極及び第2のゲート電極とからなり、 前記第1のソース電極及び前記第1のドレイン電極の一方は、前記第2のソース電極及び前記第2のドレイン電極の一方と接続され、 上方から見たときに、前記第1のソース電極及び第1のドレイン電極は、第1のゲート電極から離れていることを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/336
FI (11件)：
H01L29/78 618B ,  H01L27/08 102B ,  H01L29/78 614 ,  H01L27/10 671C ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 321L ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/04 F ,  H01L27/04 C ,  H01L29/78 617A
Fターム (111件)：
5F038AC05 ,  5F038AC14 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA20 ,  5F048BB01 ,  5F048BB03 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC16 ,  5F048BC18 ,  5F048BD02 ,  5F048BD10 ,  5F048BE03 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048CB01 ,  5F048DA23 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA60 ,  5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HM02 ,  5F110HM14 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (9件)
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