特許
J-GLOBAL ID:201403093378896170

反射型マスクブランクおよび反射型マスク

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-106005
公開番号(公開出願番号):特開2014-229652
出願日: 2013年05月20日
公開日(公表日): 2014年12月08日
要約:
【課題】イメージフィールド(回路パターン部)10とマスク外周部の導通が取れ、帯電(チャージアップ)に起因する欠陥を招くことがなく、半導体基板で多重露光されるチップの境界領域に相応するマスク領域から、EUVおよびDUVの反射を除去する遮光枠11を有する反射型マスクを提供する。【解決手段】基板1と、前記基板1上に形成された透明導電層6と、前記透明導電層6上に形成された露光光を反射する多層反射層2と、前記多層反射層2上に形成された前記多層反射層2を保護する保護層3と、前記保護層3上に形成された露光光を吸収する吸収層4と、前記基板1の多層反射層2とは反対面上に形成された裏面導電層5とを有し、周辺部に、前記吸収層、前記保護層、前記多層反射層が除去されたEUV光の反射率の低い領域である遮光枠を備えていることを特徴とする。【選択図】図3
請求項(抜粋):
波長5から15nmの光を露光光とするリソグラフィで用いられる反射型マスク用ブランクであって、 基板と、 前記基板上に形成された透明導電層と、 前記透明導電層上に形成された露光光を反射する多層反射層と、 前記多層反射層上に形成された前記多層反射層を保護する保護層と、 前記保護層上に形成された露光光を吸収する吸収層と、 前記基板の多層反射層とは反対面上に形成された裏面導電層とを有する ことを特徴とする反射型マスクブランク。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  G03F 1/24 ,  H01L 21/306
FI (3件):
H01L21/30 531M ,  G03F1/24 ,  H01L21/302 105A
Fターム (12件):
2H095BA10 ,  2H095BB02 ,  2H095BC17 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DB15 ,  5F004EB07 ,  5F146GA21 ,  5F146GA28 ,  5F146GD23 ,  5F146GD24
引用特許:
審査官引用 (3件)

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