特許
J-GLOBAL ID：201203029173235452
反射型マスクブランク及び反射型マスク
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-069163
公開番号（公開出願番号）：特開2012-204708
出願日： 2011年03月28日
公開日（公表日）： 2012年10月22日
要約：
【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。【解決手段】基板11上に遮光膜12、多層反射膜13、保護膜14、吸収膜15a、裏面導電膜16が形成された反射型マスクブランクス10を準備する。吸収膜15aを選択的に除去することで回路パターンAが形成され、回路パターンAを除く回路パターンAの周囲の部分に、吸収膜15a,15bと保護膜14と多層反射膜13とを選択的に除去した枠状の領域Bが形成される。したがって、枠状の領域Bに遮光膜12が設けられることになる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に形成された遮光膜と、
前記遮光膜上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、
前記多層反射膜上に形成された前記多層反射膜を保護する保護膜と、
前記保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収膜と、
前記基板の多層反射膜とは反対面上に形成された裏面導電膜とを有した、
波長5から15nmの光を露光光とするリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクであって、
前記基板は石英(SiO2)を主成分とし酸化チタン(TiO2)を含む材料で形成され、
前記遮光膜はカーボン(C)を主成分としたダイヤモンドライクカーボン(DLC)もしくは炭化珪素(SiC)で形成され、
前記多層反射膜はモリブデン(Mo)を材料とする層と珪素(Si)を材料とする層とが重ねられた層が複数重ねられることで構成された多層構造で形成され、
前記保護膜は単層構造もしくは積層構造となっており、ルテニウム(Ru)またはシリコン(Si)のいずれかを含む材料で形成され、
前記吸収膜は、単層構造もしくは積層構造となっており、前記保護膜上に形成され、タンタル(Ta)及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成され、
前記裏面導電膜は、クロム(Cr)またはタンタル(Ta)のいずれかの金属もしくはその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成されることを特徴とする反射型マスクブランク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 531M
, G03F1/16 A
2H095BA01
, 2H095BA02
, 2H095BA10
, 2H095BB14
, 2H095BB32
, 2H095BC05
, 2H095BC09
, 2H095BC10
, 5F046GA03
, 5F046GA04
, 5F046GD01
, 5F046GD02
, 5F046GD15
, 5F146GA03
, 5F146GA04
, 5F146GD01
, 5F146GD02
, 5F146GD15
