特許
J-GLOBAL ID：201103085486725159
反射型露光用マスク、反射型露光用マスクの製造方法、および、半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-264177
公開番号（公開出願番号）：特開2011-108942
出願日： 2009年11月19日
公開日（公表日）： 2011年06月02日
要約：
【課題】反射型露光用マスクブランクに形成された反射型露光用マスクを用いたEUVLにおいて、歩留まりを向上させる。【解決手段】EUVL用の反射型露光用マスクMSK1は、マスク基板SUB1上に順に形成された、低反射率導体膜LE1、多層反射膜ML1、および、吸収体AB1を有する。この低反射率導体膜LE1は、EUV光に対する反射率が、多層反射膜ML1および吸収体AB1よりも低い。また、吸収体AB1は、マスク基板SUB1のパターン領域RP1において、吸収体パターンPA1を形成している。更に、多層反射膜ML1は、パターン領域RP1の外周を囲む部分を溝状に除去することで形成された遮光帯SD1を有している。この溝状の遮光帯SD1の底部では、低反射率導体膜LE1が露出されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
極端紫外線を反射させて露光光として供給する反射型露光用マスクであって、
マスク基板と、
前記マスク基板の主面の全面を覆うようにして形成された導体膜と、
前記導体膜に接する状態で、前記導体膜を介して前記マスク基板上に配置された反射膜と、
前記反射膜を溝状に除去した箇所である遮光帯と、
前記反射膜上に配置された吸収体とを有し、
前記吸収体の前記極端紫外線に対する反射率は、前記反射膜の前記極端紫外線に対する反射率よりも低く、
前記マスク基板上のパターン領域における前記吸収体は、前記反射膜を覆う部分と、前記反射膜を覆わずに露出させる部分とからなる吸収体パターンを有し、
前記パターン領域は、前記マスク基板の主面を平面的に見て、前記マスク基板の外周の内側であり、かつ、前記マスク基板の外周に接しない位置に配置され、
前記遮光帯は、前記マスク基板の主面を平面的に見て、前記パターン領域の外周の外側であり、かつ、前記パターン領域の外周に接する状態で前記パターン領域を取り囲むようにして、前記反射膜を溝状に除去した箇所であり、
前記遮光帯の底部では、前記導体膜が露出され、
前記導体膜の前記極端紫外線に対する反射率は、前記反射膜および前記吸収体の前記極端紫外線に対する反射率よりも低いことを特徴とする反射型露光用マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 531M
, G03F1/16 A
2H095BA10
, 2H095BC16
, 5F046GD10
, 5F046GD13
, 5F146GD00
, 5F146GD13
