特許
J-GLOBAL ID:201403093479544011

結晶成長用のるつぼ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 山口 巖 ,  山本 浩
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-523142
公開番号(公開出願番号):特表2014-521585
出願日: 2012年08月03日
公開日(公表日): 2014年08月28日
要約:
サファイア単結晶成長に関してるつぼにかかる費用を低減可能とした、結晶成長用のるつぼ及び当該るつぼを使用してサファイア単結晶成長を行う方法を提供する。W、Mo、Re、又はこれらの合金からなる基礎るつぼ(2)と、W、Mo、Re、又はこれらの合金からなる内側ライニング(3)と、を有する、結晶、特にサファイア単結晶成長用のるつぼ(1)が提案される。基礎るつぼ(2)はポット状に形成される。内側ライニング(3)は、基礎るつぼ(2)の底部(2a)を覆うポット状の第1の部分(4)と、基礎るつぼ(2)の壁部(2b)を少なくとも部分的に覆うジャケット状の第2の部分(5)と、を少なくとも有する。第1の部分(4)と第2の部分(5)とは別部品によって形成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
W、Mo、Re、又はこれらの合金からなる基礎るつぼ(2)と、W、Mo、Re、又はこれらの合金からなる内側ライニング(3)と、を有し、 前記基礎るつぼ(2)は、ポット状に形成されており、 前記内側ライニング(3)は、前記基礎るつぼ(2)の底部(2a)を覆うポット状の第1の部分(4)と、前記基礎るつぼ(2)の壁部(2b)を少なくとも部分的に覆うジャケット状の第2の部分(5)と、を少なくとも有し、 前記第1の部分(4)と前記第2の部分(5)とは、別部品によって形成されている、 結晶、特にサファイア単結晶成長用のるつぼ。
IPC (2件):
C30B 29/20 ,  C30B 15/10
FI (2件):
C30B29/20 ,  C30B15/10
Fターム (6件):
4G077AA02 ,  4G077BB01 ,  4G077CF10 ,  4G077EG02 ,  4G077PD11 ,  4G077PD15
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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