特許
J-GLOBAL ID：201403093566308219

ピコ秒レーザパルスを用いた高いパルス繰り返し周波数でのレーザダイレクトアブレーション

発明者：
アルペイ,メメット イー

アルペイ,メメット イー について

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松本 久

松本 久 について

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ウンラート,マーク エー

ウンラート,マーク エー について

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リー,グゥアンギュー

リー,グゥアンギュー について


出願人/特許権者：
エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド

エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド について


代理人 (1件)： 森 友宏
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-502647
公開番号（公開出願番号）：特表2014-509949
出願日： 2012年03月23日
公開日（公表日）： 2014年04月24日
要約：
レーザダイレクトアブレーション(LDA)は、信号伝搬特性を制御しつつ、導電トレースを形成するためのパターンを誘電体層内に形成する。LDA加工は、ワークピースの表面上のスクライブラインに沿って材料の所望の深さ分を除去するための線量フルエンスを選択し、一連のレーザパルスにおける各レーザパルスに対する時間的パルス幅を選択し、一連のレーザパルスに対するパルス繰り返し周波数を選択する。パルス繰り返し周波数の選択は、スクライブラインに沿って選択された線量フルエンスを維持するために、少なくとも部分的に選択された時間的パルス幅に基づく。選択されたパルス繰り返し周波数によってスクライブラインに沿ったレーザスポットの重なり率が所定の最小値となる。LDAプロセスは、さらに、選択された線量フルエンス、時間的パルス幅、及びパルス繰り返し周波数に従った一連のレーザパルスを有するレーザビームを生成する。
請求項（抜粋）：
信号伝搬特性を制御しつつ、導電トレースを形成するためのパターンを誘電体層内に形成するレーザダイレクトアブレーションのための方法であって、 ワークピースの表面上のスクライブラインに沿って材料の所望の深さ分を除去するための線量フルエンスを選択し、 一連のレーザパルスにおける各レーザパルスに対する時間的パルス幅を選択し、 前記一連のレーザパルスに対するパルス繰り返し周波数を選択し、このパルス繰り返し周波数の選択は、前記スクライブラインに沿って前記選択された線量フルエンスを維持するために、少なくとも部分的に前記選択された時間的パルス幅に基づくものであり、前記選択されたパルス繰り返し周波数によって前記スクライブラインに沿ったレーザスポットの重なり率が所定の最小値となり、 レーザ源を用いて、前記選択された線量フルエンス、時間的パルス幅、及びパルス繰り返し周波数に従った前記一連のレーザパルスを有するレーザビームを生成し、 前記レーザビームの経路が前記ワークピースの表面に沿った前記スクライブライン位置を選択された速度でなぞるように、前記ワークピースと前記レーザビームとを相対運動させる、 方法。
IPC (6件)：
B23K 26/364 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/36 ,  B23K 26/082 ,  B23K 26/08 ,  B23K 26/064
FI (8件)：
B23K26/00 D ,  B23K26/00 H ,  B23K26/00 N ,  B23K26/36 ,  B23K26/00 M ,  B23K26/08 B ,  B23K26/08 D ,  B23K26/06 Z
Fターム (11件)：
4E068AD01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA03 ,  4E068CA04 ,  4E068CA07 ,  4E068CA15 ,  4E068CB02 ,  4E068CD08 ,  4E068CE03 ,  4E068CE04 ,  4E068DA09
引用特許：
審査官引用 (4件)
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