特許
J-GLOBAL ID：201403094620326720

PZT系強誘電体薄膜形成用組成物及びその製造方法並びに該組成物を用いたPZT系強誘電体薄膜の形成方法

発明者：
土井 利浩

土井 利浩 について

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桜井 英章

桜井 英章 について

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曽山 信幸

曽山 信幸 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-066421
公開番号（公開出願番号）：特開2014-192329
出願日： 2013年03月27日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：
【課題】ゾルゲル法により強誘電体薄膜を形成する際に、クラックを発生させることなく、1回の塗布で形成される薄膜の膜厚をより厚くすることでき、しかも薄膜の生産効率を高めることができるPZT系強誘電体薄膜形成用組成物及びその製造方法並びに該組成物を用いたPZT系強誘電体薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】組成物100質量%中のPZT前駆体の割合が酸化物換算で17〜35質量%であり、組成物100質量%中のジオールの割合が16〜56質量%であり、ポリビニルピロリドン又はポリエチレングリコールの割合が上記PZT前駆体1モルに対してモノマー換算で0.01〜0.25モルであり、水の割合が上記PZT前駆体1モルに対して0.5〜3モルであることを特徴とする。但し、上記組成物100質量%中に炭素鎖6以上12以下の直鎖状モノアルコールを0.6〜10質量%の割合で更に含む組成物を除く。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
PZT系強誘電体薄膜を形成するための組成物において、 前記組成物がPZT前駆体と、ジオールと、ポリビニルピロリドン又はポリエチレングリコールと、水とを含み、 前記組成物100質量%中の前記PZT前駆体の割合が酸化物換算で17〜35質量%であり、 前記組成物100質量%中の前記ジオールの割合が16〜56質量%であり、 前記ポリビニルピロリドン又はポリエチレングリコールの割合が前記PZT前駆体1モルに対してモノマー換算で0.01〜0.25モルであり、 前記水の割合が前記PZT前駆体1モルに対して0.5〜3モルである ことを特徴とするPZT系強誘電体薄膜形成用組成物。 但し、前記組成物100質量%中に炭素鎖6以上12以下の直鎖状モノアルコールを0.6〜10質量%の割合で更に含む組成物を除く。
IPC (7件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/047 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/318 ,  H01L 41/187
FI (6件)：
H01L21/316 G ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/047 ,  H01L41/09 ,  H01L41/318 ,  H01L41/187
Fターム (15件)：
5F058BA04 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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