ペロブスカイト型酸化物膜の基板表面構造とその基板およびペロブスカイト型酸化物膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：千葉博史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-029988
公開番号（公開出願番号）：特開2002-234709
出願日： 2001年02月06日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】基板表面に成膜するペロブスカイト型酸化物膜に対して優れた密着性を有する基板表面構造とその基板、およびペロブスカイト型酸化物膜を提供する。【解決手段】表面にペロブスカイト型酸化物の金属酸化物が成膜される基板において、ペロブスカイト型酸化物膜に接する電極層、基板の表面酸化層に接する密着層、この密着層と電極層との間に介在するアルミナ層を介在させる。

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト型酸化物が成膜される基板において、ペロブスカイト型酸化物膜に接する電極層、基板の表面酸化層に接する密着層、この密着層と電極層との間に介在するアルミナ層を有することを特徴とする基板の表面構造。

IPC (7件)：

C01B 13/14 , C01B 13/32 , C01G 25/00 , C04B 35/46 , H01L 21/316 , H01L 27/105 , H01L 41/08

FI (8件)：

C01B 13/14 Z , C01B 13/32 , C01G 25/00 , C04B 35/46 C , C04B 35/46 H , H01L 21/316 G , H01L 27/10 444 C , H01L 41/08 D

Fターム (42件)：

4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA32 , 4G031BA09 , 4G031CA03 , 4G031CA08 , 4G031GA01 , 4G031GA05 , 4G042DA02 , 4G042DB05 , 4G042DB06 , 4G042DB08 , 4G042DB22 , 4G042DC03 , 4G042DD02 , 4G042DD10 , 4G042DE09 , 4G042DE14 , 4G048AA03 , 4G048AB02 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AE05 , 4G048AE08 , 5F058BA10 , 5F058BA11 , 5F058BC01 , 5F058BF12 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ10 , 5F083FR01 , 5F083GA25 , 5F083JA13 , 5F083JA15 , 5F083JA31 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083PR23 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (8件)

非揮発性メモリ薄膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-239920 出願人：財団法人韓国科学技術研究院
バリアを伴う酸化耐熱性金属を用いた複合イリジウムバリア構造およびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-149037 出願人：シャープ株式会社
強誘電体層を有する層構造体、および層構造体の製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-508367 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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