特許
J-GLOBAL ID：201403094748744045

半導体素子及びその製造方法

発明者：
小島 永児

小島 永児 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 名古屋国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-240664
公開番号（公開出願番号）：特開2014-090146
出願日： 2012年10月31日
公開日（公表日）： 2014年05月15日
要約：
【課題】グラフェンの特性が劣化しにくい半導体素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】基板1上に触媒層7を形成する触媒層形成工程と、前記基板1のうち、前記触媒層7の裏面の一部7Aに対向する部分を除去し、前記裏面の一部7Aを露出させる露出工程と、前記裏面の一部7Aにグラフェン11を形成するグラフェン形成工程と、前記裏面の一部7Aを前記基板1側に近接させ、前記グラフェン11を前記基板1上に転写する転写工程と、前記触媒層7の少なくとも一部を除去する触媒層除去工程と、を含むことを特徴とする半導体素子15の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上(1、3、5)に触媒層(7)を形成する触媒層形成工程と、 前記基板のうち、前記触媒層の裏面の一部(7A)に対向する部分を除去し、前記裏面の一部を露出させる露出工程と、 前記裏面の一部にグラフェン(11)を形成するグラフェン形成工程と、 前記裏面の一部を前記基板側に近接させ、前記グラフェンを前記基板上に転写する転写工程と、 前記触媒層の少なくとも一部を除去する触媒層除去工程と、 を含むことを特徴とする半導体素子(15)の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C01B 31/02 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40
FI (7件)：
H01L29/78 618A ,  C01B31/02 101Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 310E
Fターム (25件)：
4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC33B ,  4G146BC44 ,  4G146CB01 ,  5F110AA26 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD21 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG30 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK42 ,  5F110HM04
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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