薄膜トランジスタ装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (17件)：蔵田昌俊 , 高倉成男 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 井関守三 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-068602
公開番号（公開出願番号）：特開2012-204661
出願日： 2011年03月25日
公開日（公表日）： 2012年10月22日
要約：

【課題】十分なキャパシタ容量が得られ、リーク電流や寄生容量を抑制した薄膜トランジスタ装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタを備え、そのゲート電極111、ソース電極131、ドレイン電極132、バス配線、画素電極133、ゲート絶縁膜121、層間絶縁膜122、半導体層141の全部もしくは一部が塗布法もしくは印刷法で形成されてなり、ゲート絶縁膜121および/もしくは層間絶縁膜122が連続膜から構成され、連続膜が薄膜部と厚膜部から構成されてなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタを備え、そのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、バス配線、画素電極、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜、半導体層の全部もしくは一部が塗布法もしくは印刷法で形成されてなり、ゲート絶縁膜および/もしくは層間絶縁膜が連続膜から構成され、連続膜が薄膜部と厚膜部から構成されてなることを特徴とする薄膜トランジスタ装置。

IPC (9件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/288 , H01L 21/768 , H01L 21/320 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 21/312 , H01L 21/368

FI (15件)：

H01L29/78 627C , H01L29/78 616K , H01L29/78 617J , H01L29/78 617V , H01L29/78 618A , H01L29/78 619A , H01L29/78 617U , H01L29/78 627B , H01L21/288 Z , H01L21/90 P , H01L21/88 B , H01L29/28 100A , H01L29/28 280 , H01L21/312 A , H01L21/368 L

Fターム (117件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB19 , 4M104DD51 , 4M104DD79 , 4M104EE03 , 4M104EE18 , 4M104GG08 , 4M104GG14 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH15 , 5F033HH16 , 5F033HH35 , 5F033JJ01 , 5F033KK03 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP26 , 5F033QQ00 , 5F033QQ08 , 5F033QQ73 , 5F033QQ74 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR23 , 5F033RR24 , 5F033SS22 , 5F033TT03 , 5F033VV06 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033XX24 , 5F033XX31 , 5F053AA06 , 5F053AA50 , 5F053BB09 , 5F053DD19 , 5F053HH07 , 5F053LL10 , 5F053RR03 , 5F053RR04 , 5F058AA10 , 5F058AC05 , 5F058AC10 , 5F058AD06 , 5F058AD09 , 5F058AF04 , 5F058AF06 , 5F058AG01 , 5F058AH01 , 5F058AH02 , 5F110AA02 , 5F110AA06 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110BB09 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE06 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK06 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL06 , 5F110HL22 , 5F110NN03 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (12件)

有機電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-527042 出願人：オーガニックアイディーインコーポレイテッド
液晶表示素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-210271 出願人：シャープ株式会社
有機薄膜トランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2010-501587 出願人：ケンブリッジディスプレイテクノロジーリミテッド

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審査官引用 (12件)

有機電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-527042 出願人：オーガニックアイディーインコーポレイテッド
液晶表示素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-210271 出願人：シャープ株式会社
有機薄膜トランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2010-501587 出願人：ケンブリッジディスプレイテクノロジーリミテッド

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