特許
J-GLOBAL ID：201403095375274490

半導体装置及びその製造方法

発明者：
有吉 恵子

有吉 恵子 について

, 
鈴木 拓馬

鈴木 拓馬 について

, 
四戸 孝

四戸 孝 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-069072
公開番号（公開出願番号）：特開2013-201308
特許番号：特許第5638558号
出願日： 2012年03月26日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 炭化珪素を含む第1半導体領域と、 前記第1半導体領域の上に設けられ第1導電形の炭化珪素を含む第2半導体領域と、 前記第2半導体領域の上に設けられ第2導電形の炭化珪素を含む第3半導体領域と、 前記第3半導体領域の上に設けられ第1導電形の炭化珪素を含む第4半導体領域と、 前記第4半導体領域、前記第3半導体領域及び前記第2半導体領域に設けられたトレンチ内に設けられた制御電極と、 前記トレンチの側面と、前記制御電極と、のあいだ、および、前記トレンチの底面と、前記制御電極と、のあいだに設けられた絶縁膜と、 を備え、 前記絶縁膜は、高誘電率領域と、底部絶縁膜と、を含み、 前記底部絶縁膜は、前記トレンチの前記底面と前記制御電極との間に設けられ、 高誘電率領域は、前記第3半導体領域と接し、酸化シリコンよりも高い誘電率を有し、 前記高誘電率領域のうちの前記制御電極側の領域の誘電率は、前記高誘電率領域のうちの前記第3半導体領域側の領域の誘電率よりも高く、 前記高誘電率領域のうちの前記制御電極側の領域の前記誘電率は、前記底部絶縁膜の誘電率よりも高い半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 658 F
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM