特許
J-GLOBAL ID：201403095562320209
マスクパターン生成方法、マスクパターン生成装置、及び、マスクパターン生成プログラム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
土井 健二
, 林 恒徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-100051
公開番号（公開出願番号）：特開2014-029675
出願日： 2013年05月10日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
要約：
【課題】効率的にマスクパターンの被覆率を基準範囲にするマスクパターン生成方法、マスクパターン生成装置、及び、マスクパターン生成プログラムを提供する。【解決手段】半導体装置のマスクパターン生成方法であって、境界パターン領域と、ダミーパターンの配置用の密度保障領域とを有するライブラリパターンを複数有するライブラリ情報の参照工程と、第1のライブラリパターンを配置する第1の配置工程と、第2のライブラリパターンを、第2のライブラリパターンの密度保障領域を第1のライブラリパターンの境界パターン領域と重複させずに配置する第2の配置工程と、第1および第2のライブラリパターンの境界パターン領域の外側の領域であって、密度保障領域を含む領域にダミーパターンを配置させるダミーパターン配置工程と、を有する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体装置のマスクパターン生成方法であって、
半導体基板上の素子パターン形成領域を画定する境界パターン領域と、前記境界パターン領域の周囲に配置されて検証領域当たりの前記マスクパターンの被覆率最小基準値を満たすダミーパターンの配置用の密度保障領域とを有するライブラリパターンを複数有するライブラリ情報の参照工程と、
前記ライブラリ情報から抽出した第1のライブラリパターンを配置する第1の配置工程と、
前記第1の配置工程後に、前記ライブラリ情報から抽出した第2のライブラリパターンを、前記第2のライブラリパターンの前記密度保障領域を前記第1のライブラリパターンの前記境界パターン領域と重複させずに配置する第2の配置工程と、
前記第1および第2のライブラリパターンの前記境界パターン領域の外側の領域であって、前記密度保障領域を含む領域に前記ダミーパターンを配置させるダミーパターン配置工程と、
を有する半導体装置のマスクパターン生成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G06F17/50 658
, H01L21/82 D
5B046AA08
, 5B046BA06
, 5F064CC22
, 5F064CC23
, 5F064DD02
, 5F064DD12
, 5F064DD13
, 5F064DD14
, 5F064DD18
, 5F064DD26
, 5F064EE02
, 5F064HH06
, 5F064HH10
, 5F064HH12
