特許
J-GLOBAL ID:201403096427694057

封止層被覆半導体素子、その製造方法および半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 岡本 寛之 ,  宇田 新一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-136507
公開番号(公開出願番号):特開2014-168035
出願日: 2013年06月28日
公開日(公表日): 2014年09月11日
要約:
【課題】粘着層に利用できる材料を広範に選択でき、工程設計の自由度を向上させることができ、さらには、封止層被覆半導体素子の製造に要する工数を低減することができる、封止層被覆半導体素子の製造方法、それにより得られる封止層被覆半導体素子、および、それを備える半導体装置を提供すること。【解決手段】蛍光体シート被覆LED10の製造方法は、貫通孔21が形成される支持板2と粘着層3とを備える支持シート1を用意する用意工程、LED4を粘着層3に配置するLED配置工程、蛍光体シート5によってLED4を被覆して、LED4と蛍光体シート5とを備える蛍光体シート被覆LED10を得るLED被覆工程、および、押圧部材14を貫通孔21に挿通させて、蛍光体シート被覆LED10を相対移動させながら、蛍光体シート被覆LED10を粘着層3から剥離するLED剥離工程を備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
厚み方向を貫通する貫通孔が形成される硬質の支持板と、前記支持板の厚み方向一方側の表面に前記貫通孔を被覆するように積層される粘着層とを備える支持シートを用意する用意工程、 半導体素子を、前記貫通孔と前記厚み方向に対向する前記粘着層の前記厚み方向一方側の表面に配置する半導体素子配置工程、 封止層によって前記半導体素子を被覆して、前記半導体素子と、前記半導体素子を被覆する前記封止層とを備える封止層被覆半導体素子を得る半導体素子被覆工程、および、 押圧部材を前記貫通孔に前記厚み方向他方側から挿通させて、前記貫通孔に対応する前記粘着層を前記支持板に対して相対的に前記厚み方向一方側に押圧することによって、前記封止層被覆半導体素子を前記厚み方向一方側に相対移動させながら、前記封止層被覆半導体素子を前記粘着層から剥離する半導体素子剥離工程 を備えることを特徴とする、封止層被覆半導体素子の製造方法。
IPC (4件):
H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 33/52
FI (3件):
H01L21/56 R ,  H01L23/30 F ,  H01L33/00 420
Fターム (31件):
4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA26 ,  4M109DB20 ,  4M109GA01 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA26 ,  5F061CB03 ,  5F061FA01 ,  5F142AA82 ,  5F142AA88 ,  5F142BA02 ,  5F142BA32 ,  5F142CA11 ,  5F142CB23 ,  5F142CD02 ,  5F142CE03 ,  5F142CE16 ,  5F142CE18 ,  5F142CG03 ,  5F142CG04 ,  5F142CG05 ,  5F142CG16 ,  5F142CG26 ,  5F142CG42 ,  5F142DA12 ,  5F142FA14 ,  5F142FA18 ,  5F142FA21 ,  5F142FA48
引用特許:
審査官引用 (4件)
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