特許
J-GLOBAL ID：201403096829661023
積層セラミックコンデンサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
特許業務法人 津国
, 津国 肇
, 柳橋 泰雄
, 伊藤 佐保子
, 小澤 圭子
, 生川 芳徳
, 坂本 幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-017078
公開番号（公開出願番号）：特開2014-150120
出願日： 2013年01月31日
公開日（公表日）： 2014年08月21日
要約：
【課題】小型大容量の積層セラミックコンデンサにおいてCR積の改善を図る。【解決手段】積層体の最外層位置P1に存在する誘電体粒子の平均粒径がD1であり、積層体の中央位置P2に存在する誘電体粒子の平均粒径がD2であり、積層体の25%侵入位置P3に存在する誘電体粒子の平均粒径がD3であるとした積層セラミックコンデンサにおいて、平均粒径D1、D2及びD3の関係が、1.5×D1<D3、かつ、1.2×D2<D3の条件を満たすように、焼成による誘電体粒子の粒成長を部分的に抑制する。これにより、1μm以下の誘電体厚みでも十分なCR積が得られる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
誘電体層と内部電極層とが交互に積層されてなる積層体を備える積層セラミックコンデンサであって、
前記積層体の積層方向における最外層位置に存在する誘電体粒子の平均粒径がD1であり、
前記積層体の積層方向における中央位置に存在する誘電体粒子の平均粒径がD2であり、
前記積層体の積層方向における前記最外層位置と前記中央位置との間を等分した中間位置に存在する誘電体粒子の平均粒径がD3であるとした場合において、
前記平均粒径D1、D2及びD3の関係が、
1.5×D1<D3、かつ、
1.2×D2<D3
の条件を満たす積層セラミックコンデンサ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01G4/12 349
, H01G4/12 358
, H01G4/30 301E
5E001AB03
, 5E001AD00
, 5E001AE02
, 5E001AE03
, 5E001AE04
, 5E082AA01
, 5E082AB03
, 5E082BC35
, 5E082BC36
, 5E082EE04
, 5E082EE23
, 5E082EE35
, 5E082FF05
, 5E082FG04
, 5E082FG26
, 5E082FG54
, 5E082FG60
, 5E082PP09
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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