特許
J-GLOBAL ID：201403096947775220

マイクロ波導入モジュールにおけるSパラメータ取得方法及び異常検知方法

発明者：
池田 太郎

池田 太郎 について

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藤野 豊

藤野 豊 について

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足立 光

足立 光 について

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宮下 大幸

宮下 大幸 について

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長田 勇輝

長田 勇輝 について

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山本 伸彦

山本 伸彦 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (3件)： 渡邊 和浩 ,  星宮 勝美 ,  城澤 達哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-153902
公開番号（公開出願番号）：特開2014-017121
出願日： 2012年07月09日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
要約：
【課題】複数のマイクロ波導入モジュールが設けられたプラズマ処理装置においてSパラメータを取得する。【解決手段】プラズマ処理装置1は、処理容器2と、複数のマイクロ波導入モジュール61を有するマイクロ波導入装置5とを備えている。複数のマイクロ波導入モジュール61毎にマイクロ波を導入し、このマイクロ波と、処理容器2から複数のマイクロ波導入モジュール61に反射された反射マイクロ波に基づいて、複数のマイクロ波導入モジュール61の組み合わせ毎のSパラメータを求める。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
被処理体を収容する処理容器と、 前記処理容器内においてプラズマを生成させるためのマイクロ波を前記処理容器内に導入する複数のマイクロ波導入モジュールを有するマイクロ波導入装置と、 前記処理容器内を減圧排気する排気装置と、 を備えたプラズマ処理装置において前記マイクロ波導入モジュールのSパラメータを取得する方法であって、 前記複数のマイクロ波導入モジュールは、それぞれ、前記マイクロ波を前記処理容器内の別々の場所に導入するものであり、 前記処理容器内を、真空状態、且つ、前記プラズマが生成されない状態にして、前記複数のマイクロ波導入モジュール毎に前記マイクロ波を導入し、このマイクロ波と、前記処理容器から前記複数のマイクロ波導入モジュールに反射された反射マイクロ波に基づいて、前記複数のマイクロ波導入モジュールの中から選ばれる2つの組み合わせ毎のSパラメータを求めることを特徴とするSパラメータの取得方法。
IPC (4件)：
H05H 1/00 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/306
FI (4件)：
H05H1/00 A ,  H01L21/31 A ,  H05H1/46 B ,  H01L21/302 101D
Fターム (12件)：
5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA11 ,  5F004BA16 ,  5F004BB14 ,  5F004CA08 ,  5F004CB05 ,  5F045AA20 ,  5F045AB33 ,  5F045BB02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH19
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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