特許
J-GLOBAL ID：201403097814402966
太陽電池セルの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-141989
公開番号（公開出願番号）：特開2014-007284
出願日： 2012年06月25日
公開日（公表日）： 2014年01月16日
要約：
【課題】ポイント・コンタクト・セル構造を有して発電性能に優れた太陽電池セルを簡便な工程で安価に得ること。【解決手段】第1導電型の半導体基板の一面側に所定のパターンで選択的に酸素イオンを注入する第1工程と、前記半導体基板に第1アニールを実施して、前記半導体基板の一面側における前記酸素イオンを注入した部分を酸化して前記半導体基板の一面側の表層に前記所定のパターンを有する酸化膜を形成する第2工程と、前記半導体基板の一面側において前記酸化膜が形成されていない領域であって前記所定のパターンに囲まれた閉領域の少なくとも一部に選択的に第1導電型の不純物イオンを注入する第3工程と、前記半導体基板に第2アニールを実施して、前記半導体基板の一面側の表層における前記閉領域に第1導電型の不純物が前記半導体基板の他の領域よりも高濃度に拡散された第1導電型半導体層を形成する第4工程と、を含む。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板の一面側に所定のパターンで選択的に酸素イオンを注入する第1工程と、
前記半導体基板に第1アニールを実施して、前記半導体基板の一面側における前記酸素イオンを注入した部分を酸化して前記半導体基板の一面側の表層に前記所定のパターンを有する酸化膜を形成する第2工程と、
前記半導体基板の一面側において前記酸化膜が形成されていない領域であって前記所定のパターンに囲まれた閉領域の少なくとも一部に選択的に第1導電型の不純物イオンを注入する第3工程と、
前記半導体基板に第2アニールを実施して、前記半導体基板の一面側の表層における前記閉領域に第1導電型の不純物が前記半導体基板の他の領域よりも高濃度に拡散された第1導電型半導体層を形成する第4工程と、
を含むことを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151CB12
, 5F151CB13
, 5F151CB19
, 5F151CB20
, 5F151CB21
, 5F151CB22
, 5F151CB24
, 5F151CB27
, 5F151DA03
, 5F151EA10
, 5F151FA10
, 5F151FA25
, 5F151GA04
, 5F151GA15
, 5F151HA03
, 5F151HA19
