特許
J-GLOBAL ID：201403099217422070

半導体デバイスおよびそれを製造するための方法

発明者：
マウダー, アントン

マウダー, アントン について

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オトレンバ, ラルフ

オトレンバ, ラルフ について

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シュルツェ,ハンス-ヨアヒム

シュルツェ,ハンス-ヨアヒム について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-044272
公開番号（公開出願番号）：特開2014-179605
出願日： 2014年03月06日
公開日（公表日）： 2014年09月25日
要約：
【課題】半導体デバイスおよびそれを製造するための方法、半導体デバイス及び中間生成物を提供する。【解決手段】半導体基板を設けるステップ301と、この半導体基板と向き合わない裏面およびこの半導体基板に向き合う正面を有する、少なくとも1つの半導体デバイスを基板上に設けるステップ302と、半導体デバイスの裏面に接触層を設けるステップ303と、この接触層を補助キャリアに接合するステップ304と、この少なくとも1つの半導体デバイスを基板から分離するステップ305とを含む。【選択図】図13
請求項（抜粋）：
半導体デバイスを製造する方法であって、 半導体基板を設けるステップと、 前記半導体基板と向き合わない裏面および前記半導体基板に向き合う正面を有する、少なくとも1つの半導体デバイスを前記半導体基板上に設けるステップと、 前記半導体デバイスの前記裏面に接触層を設けるステップと、 前記接触層を補助キャリアに接合するステップと、 前記半導体基板から前記少なくとも1つの半導体デバイスを分離するステップと を含む、方法。
IPC (12件)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/16
FI (13件)：
H01L21/02 B ,  H01L21/265 Z ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/268 E ,  H01L21/20 ,  H01L21/02 C ,  H01L27/12 B ,  H01L29/91 A ,  H01L29/86 301P ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/78 658Z ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/16
Fターム (17件)：
5F152LN13 ,  5F152LP02 ,  5F152LP04 ,  5F152LP06 ,  5F152LP07 ,  5F152MM02 ,  5F152MM04 ,  5F152MM06 ,  5F152NN02 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN12 ,  5F152NN14 ,  5F152NN19 ,  5F152NP02 ,  5F152NP24 ,  5F152NQ02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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