炭化ケイ素パワーデバイスを有する半導体ウェハを処理する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：特許業務法人浅村特許事務所 , 浅村皓 , 浅村肇 , 大日方和幸 , 畑中孝之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-111873
公開番号（公開出願番号）：特開2012-178603
出願日： 2012年05月15日
公開日（公表日）： 2012年09月13日
要約：

【課題】ドーパントが注入されたSiC基板がオーミックコンタクトの形成前に薄くされる場合には、オーミックコンタクトを形成するために堆積された金属は、基板上に堆積されたときにオーム特性を持たないことがある。【解決手段】炭化ケイ素半導体デバイスを形成する方法は、第1の厚さを有する炭化ケイ素基板の第1の表面に半導体デバイスを形成するステップと、前記第1の表面にキャリア基板を取り付けるステップとを含む。さらに、前記炭化ケイ素基板を、前記第1の厚さ未満の厚さまで薄くするステップ、前記第1の表面とは反対側の前記薄くされた炭化ケイ素基板の表面に金属層を形成するステップ、前記金属層を局所的にアニールするステップを含む。前記炭化ケイ素基板は、個片化された半導体デバイスを提供するために、個片化される。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素半導体デバイスを形成する方法であって、第1の厚さを有する炭化ケイ素基板の第1の表面に半導体デバイスを形成するステップと、前記炭化ケイ素基板の前記第1の表面にキャリア基板を取り付けるステップと、前記炭化ケイ素基板を、前記第1の厚さ未満の第2の厚さまで薄くするステップと、前記炭化ケイ素基板の前記第1の表面とは反対側の薄くされた前記炭化ケイ素基板の表面に金属層を形成するステップと、前記炭化ケイ素基板の前記第1の表面とは反対側の薄くされた前記炭化ケイ素基板の表面にオーミックコンタクトを形成するために、前記金属層を局所的にアニールするステップと、個片化された半導体デバイスを提供するために、前記炭化ケイ素基板を個片化するステップとを含むことを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 , H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 21/329

FI (4件)：

H01L21/28 301B , H01L21/28 B , H01L29/48 D , H01L29/48 P

Fターム (22件)：

4M104AA03 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB14 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB25 , 4M104CC01 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104DD84 , 4M104EE06 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104FF35 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG07 , 4M104GG09 , 4M104GG11 , 4M104GG18 , 4M104HH15

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-255980 出願人：株式会社日立製作所
炭化ケイ素金属半導体電界効果トランジスタ及び炭化ケイ素の金属半導体電界効果トランジスタを製造する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-582844 出願人：クリーインコーポレイテッド
金属-炭化珪素オーミックコンタクトの局所的アニーリングおよびそのようにして形成された素子
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-523380 出願人：クリーインコーポレイテッド

全件表示

前のページに戻る