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J-GLOBAL ID：201502201155296203   整理番号：15A1203600

グラフェンのクラックにおけるジグザグ型エッジの選択形成

Selective Formation of Zigzag Edges in Graphene Cracks

著者 (11件)： FUJIHARA Miho (Nagoya Univ. and Inst. for Advanced Res., Nagoya, JPN) ,  INOUE Ryosuke (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  KURITA Rei (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  TANIUCHI Toshiyuki (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  MOTOYUI Yoshihito (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  SHIN Shik (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  KOMORI Fumio (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  MANIWA Yutaka (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  SHINOHARA Hisanori (Nagoya Univ. and Inst. for Advanced Res., Nagoya, JPN) ,  MIYATA Yasumitsu (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  MIYATA Yasumitsu (JST-PRESTO, Saitama, JPN)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 9  号： 9  ページ： 9027-9033  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 特定の結晶方位に沿ってグラフェン結晶粒にクラックが入ると,ジグザグ型エッジが形成されることを示した。Cu箔上にグラフェン膜を1075°Cで化学蒸着し,直ちに室温まで冷却するとクラックが発生する。クラックによって生じたエッジはジグザグ型であり,化学的に形成されたエッジよりも滑らかであることがRaman分光から分かった。クラックの発生は冷却時におけるグラフェン膜のV字型ノッチへの応力集中とCu箔による一軸引張応力に起因する。クラックの入ったグラフェン結晶粒をSi/SiO₂基板に移し,ナノギャップ(100nm)FETを作製した。その電流電圧特性からエッジ内のキャリア密度はゲート電圧により変調可能であることが分かった。

シソーラス用語： *グラフェン ,  化学蒸着 ,  熱応力 ,  *亀裂 ,  *端部 ,  構造 ,  Ramanスペクトル ,  間隙 ,  FET【トランジスタ】 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： ジグザグ構造 ,  ナノギャップ

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  試料技術  (BA02070O)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  クラック ,  エッジ