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J-GLOBAL ID：201502202037583776   整理番号：15A0984242

ヒ素とホウ素を大量にドープしたSi表面に対するエピタキシャルチャネル品質の改善とトンネル電界効果トランジスタの性能への影響

Improvement of epitaxial channel quality on heavily arsenic- and boron-doped Si surfaces and impact on performance of tunnel field-effect transistors

著者 (11件)： MORITA Yukinori (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MORI Takahiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MIGITA Shinji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MIZUBAYASHI Wataru (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  FUKUDA Koichi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MATSUKAWA Takashi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ENDO Kazuhiko (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  O’UCHI Shin-ichi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  LIU Yongxun (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MASAHARA Meishoku (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  OTA Hiroyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 113  ページ： 173-178  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *エピタクシー ,  *品質 ,  ヒ素 ,  ホウ素
準シソーラス用語： *エピタキシャル ,  *チャネル品質 ,  *トンネル電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ヒ素 ,  ホウ素 ,  ドープ ,  Si ,  エピタキシャル ,  チャネル品質 ,  トンネル電界効果トランジスタ