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J-GLOBAL ID:201502202393346177   整理番号:15A1158989

EUVLプロジェクトの現状と今後の展望

著者 (3件):
資料名:
巻: 16  ページ: 29-34  発行年: 2015年09月 
JST資料番号: L4711A  ISSN: 2189-6909  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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極端紫外線リソグラフィ(EUVL)技術は,16nm(7nmノード)の半導体量産技術として用いられる。この中で,兵庫県立大学は,レジストおよびマスク技術の開発を進めている。レジストの開発では,高解像,高感度,低line edge roughness,低アウトガス特性を有するEUVレジストの開発を進めている。また,マスクの開発では,20nm以下の欠陥観察が可能なEUVマスクの欠陥観察技術の開発を進めている。さらに,EUV光源用大型集光ミラーの反射率評価系の開発を進めてきた。これらの技術について紹介する。(著者抄録)
シソーラス用語:
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
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