文献

J-GLOBAL ID：201502204263402957   整理番号：15A1057785

水素化ダイヤモンドMISFETにおける正常なオンオフ特性の制御

Control of normally on/off characteristics in hydrogenated diamond metal-insulator-semiconductor field-effect transistors

著者 (7件)： LIU J. W. (International Center for Young Scientists, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki ...) ,  LIAO M. Y. (Optical and Electronic Materials Unit, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  IMURA M. (Optical and Electronic Materials Unit, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  MATSUMOTO T. (Inst. of Engineering Innovation, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656 ...) ,  SHIBATA N. (Inst. of Engineering Innovation, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656 ...) ,  IKUHARA Y. (Inst. of Engineering Innovation, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656 ...) ,  KOIDE Y. (Optical and Electronic Materials Unit, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 118  号： 11  ページ： 115704-115704-6  発行年： 2015年09月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  *水素化 ,  容量電圧特性 ,  焼なまし ,  アクセプタ ,  不純物補償 ,  *制御動作 ,  *MISFET ,  *オンオフ動作 ,  *鉱石 ,  *宝石

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素化 ,  ダイヤモンド ,  MISFET ,  オンオフ