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J-GLOBAL ID：201502204462669334   整理番号：15A1241790

EUVレジストのDillのBパラメータの測定の研究

Study of Dill’s B parameter measurement of EUV resist

著者 (5件)： SEKIGUCHI Atsushi (Litho Tech Japan Corp.) ,  MATSUMOTO Yoko (Litho Tech Japan Corp.) ,  HARADA Tetsuo (Univ. Hyogo) ,  WATANABE Takeo (Univ. Hyogo) ,  KINOSHITA Hiroo (Univ. Hyogo)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9422  号： Pt.2  ページ： 94222L.1-94222L.14  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EUVリソグラフィーではEUVレジストが利用されるが,最新の化学増幅レジストではEUV光に対する感度の改善が求められている。感度を改善するために,レジスト高分子のEUV光吸収について検討した。化学増幅レジストの計算機シミュレーションのパラメータには,DillのCパラメータ,PAGから発生した酸性物質の拡散距離,脱保護基反応パラメータなどが知られているが,光吸収と関係するDillのBパラメータを利用した。Bパラメータの測定法を示した。NewSUBARUの放射光施設を利用して,光透過率を測定した。透過率データを解析し,Bパラメータを導出した。Bパラメータと解像度との関係を示した。Bパラメータを利用することで,EUVレジストでの光吸収を解析し,化学増幅レジストの感度を改善できることが分かった。

シソーラス用語： フォトレジスト ,  フォトリソグラフィー ,  極端紫外線 ,  パラメータ ,  光学的測定 ,  *化学増幅レジスト ,  真空紫外線 ,  計算機シミュレーション ,  酸 ,  脱保護基 ,  分解能 ,  光吸収 ,  拡散距離 ,  シンクロトロン放射 ,  放射光施設 ,  透過率 ,  感度 ,  *EUVレジスト ,  NewSUBARU ,  光透過率 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： EUVリソグラフィー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： EUVレジスト ,  パラメータ ,  研究