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J-GLOBAL ID：201502204467186951   整理番号：15A1347427

スーパージャンクションMOSFETにおけるスイッチングロスのチャージインバランス依存抑制

Suppression of switching loss dependence on charge imbalance of Superjunction MOSFET

著者 (8件)： 山下浩明 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  浦秀幸 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  小野昇太郎 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  梨木将登 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  三井健司 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  斎藤渉 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  小野寺純 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  鉾本吉孝 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-15  号： 87-105  ページ： 65-69  発行年： 2015年10月29日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SJ-MOSFETのスイッチング動作時のCIBの影響等に対するシミュレーション解析を行い,CIB感度はゲート構造とレイアウトにより抑制可能であることを試作機により実証した。SJ-MOSFETのスイッチング損失が発生する期間を示し,MOSゲート構造でトレンチゲート構造およびプレーナゲート構造,レイアウトでSJ方向に直交配置と並行配置の4種についてスイッチング特性のシミュレーションを行った。CIBの影響によるスイッチング損失は,トレンチゲート,並行配置の方が大きかった。CIBはゲート近傍ポテンシャルを変化させ,高ポテンシャル時はスイッチング遅延を招く。CIB感度は,プレーナゲートと直交配列により抑制可能であることを実証した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *スイッチング損失 ,  *充電 ,  シミュレーション ,  ゲート【半導体】 ,  配置設計 ,  レイアウト ,  感度 ,  スイッチング
準シソーラス用語： スーパージャンクション構造構造

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (5件)：

• T. Fujihira and Y. Miyasaka, "Simulated superior performances of semiconductor super junction devices", Proc. of the ISPSD, pp.423-426, June, 1998.
• P. M. Shenoy, A. Bhalla and G. M. Dolny, "Analysis of the effect of charge imbalance on the static and dynamic characteristics of the super junction MOSFET", Proc. of the ISPSD, pp.99-102, May, 1999.
• J. Roig, P. Moans, J. McDonald, P. Vanmeerbeek, F. Bauwens and M. Tack, "Energy limits for Undamped Inductive Switching in High-Voltage Planar and SuperJunction Power MOSFETs", Proc. of the ISPSD, pp.312-315, May, 2011.
• A. Sugi, M. Takei, K. Takahashi, A. Yajima, H. Tomizawa and H. Nakazawa, "Super Junction MOSFETs above 600V with Parallel Gate Structure Fabricated by Deep Trench Etching and Epitaxial Growth", Proc. of the ISPSD, pp.165-168, May, 2008.
• T. Tamaki, et al, "Vertical Charge Imbalance Effect on 600 V-class Trench-Filling Superjunction Power MOSFETs", Proc. of the ISPSD, pp.308-311, May, 2011.

タイトルに関連する用語 (3件)： ジャンクション ,  MOSFET ,  スイッチングロス