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J-GLOBAL ID:201502205684066278   整理番号:15A1061863

電力変換効率4%以上を有するCu2SnS3の薄膜太陽電池の作製

Fabrication of Cu2SnS3 thin-film solar cells with power conversion efficiency of over 4%
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巻: 54  号: 8S1  ページ: 08KC06.1-08KC06.4  発行年: 2015年08月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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CuSnS3(CTS)薄膜が銅とスズと粉砕硫黄の共蒸着と続くアニーリングで製造された。蒸着直後の膜は570°C5分間100mgの硫黄の塊の存在の下,大気圧の窒素で満たされたRTAプロセス炉でアニールされた。次いでCTS膜を吸収層に用いて太陽電池が作製され,その効率を異なるCu/Sn組成比に付いて評価した。最も大きな粒子サイズが少しスズリッチな組成で見出された。最も高い性能がCu/Sn比1.9のCTS薄膜を持つ太陽電池で得られた。Cu/Sn比1.87比のセルが開回路電圧258mV,短絡電流密度35.6mA/cm2,充満因子0.467で電力変換効率4.29%を示した。(翻訳著者抄録)
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太陽電池 
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