文献

J-GLOBAL ID：201502206136858022   整理番号：15A0877770

有機金属気相成長で成長したN極(0001)InGaN発光ダイオードの赤から青の波長放射

Red to blue wavelength emission of N-polar (000<span style=text-decoration:overline>1</span>) InGaN light-emitting diodes grown by metalorganic vapor phase epitaxy

著者 (11件)： SHOJIKI Kanako (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TANIKAWA Tomoyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TANIKAWA Tomoyuki (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  CHOI Jung-Hun (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KUBOYA Shigeyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANADA Takashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANADA Takashi (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  KATAYAMA Ryuji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KATAYAMA Ryuji (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  MATSUOKA Takashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MATSUOKA Takashi (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 8  号： 6  ページ： 061005.1-061005.4  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 青色から緑,赤までの範囲の放射波長のN極(0001)(cー面)InGaN発光ダイオードが,有機金属気相成長によりc-面サファイヤ基板上に製作された。cー面InGaN/GaN多重量子井戸の為の成長条件の最適化が行われた。その結果,20mAの定常電流下の444から633nmまでの放射波長の拡張が,880から790°Cまでの量子井戸の成長温度変更により達成された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  *MOCVD ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  サファイア ,  *窒化ガリウム ,  *多重量子井戸 ,  *最適化 ,  温度依存性
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (23件)：

• B. Monemar, Phys. Rev. B 10, 676 (1974).
• J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
• I. Ho and G. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).
• M. Sumiya, M. Tanaka, K. Ohtsuka, S. Fuke, T. Ohnishi, I. Ohkubo, M. Yoshimoto, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 75, 674 (1999).
• S. Keller, N. A. Fichtenbaum, M. Furukawa, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 90, 191908 (2007).

タイトルに関連する用語 (10件)： 有機金属 ,  気相成長 ,  成長 ,  極 ,  InGaN ,  発光ダイオード ,  赤 ,  青 ,  波長 ,  放射