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J-GLOBAL ID：201502207338543843   整理番号：15A0671241

車載応用に向けての次世代パワーデバイス-GaN,SiC

Next-generation Power Switching Devices for Automotive Applications: GaN and SiC

著者 (6件)： 上田哲三 (オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社 技術本部) ,  高橋理 (パナソニックセミコンダクターソリューションズ) ,  海本博之 (パナソニックセミコンダクターソリューションズ) ,  神澤好彦 (オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社 技術本部) ,  澤田和幸 (オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社 技術本部) ,  山崎晃 (パナソニックセミコンダクターソリューションズ)
資料名： パナソニック技報  (Panasonic Technical Journal)
巻： 61  号： 1  ページ： 67-71  発行年： 2015年05月15日 
JST資料番号： G0474A  ISSN： 1883-115X  CODEN： PGAIBU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電気自動車/ハイブリッド自動車における各種モータ駆動や電力変換回路の小型化かつ高効率化を実現できるGaN,SiCパワーデバイスを開発した。GaNに関しては大面積Si基板上にGate Injection Transistor(GIT)と名付けた新規構造によりノーマリオフ動作と600Vでの連続安定動作を実現した。SiCではダイオードを内蔵したDioMOS(Diode-integrated MOSFET)を提案し,従来必要であった外付けダイオードを不要にしてより小型・低コストを可能にした。これらの次世代パワーデバイスは自動車の軽量化・省エネルギー化に貢献し,今後の普及が期待される。(著者抄録)

シソーラス用語： *電装品 ,  自動車 ,  電気自動車 ,  *半導体素子 ,  パワーエレクトロニクス ,  窒化ガリウム ,  炭化ケイ素 ,  MOSFET
準シソーラス用語： 車載機器 ,  *パワーデバイス ,  GaN ,  SiC

分類 (2件)： 電装品  (QG03070C) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (6件)：

• M. Ishida et al., “GaN on Si technologies for power switching devices,“ IEEE Trans. Electron Device, vol.60, no.10, pp. 3053-3059, 2013.
• Y. Uemoto et al., “Gate injection transistor (GIT)-A normally-off A1GaN/GaN power transistor using conductivity modulation,“ IEEE Trans. Electron Device, vol.54, no.12, pp. 3393-3399, 2007.
• T. Ueda, “Reliability issues in GaN and SiC power devices,“ IEEE IRPS Tech. Dig., Wikoloa, Hawaii, USA, June 2014, 3D-4.
• T. Ueda, “The challenge and progress of high-voltage normally-off GaN gate injection transistors,“ IEEE WiPDA, Columbus, Ohio, USA, October 2013.
• M. Uchida et al., “Novel SiC power MOSFET with integrated unipolar internal inverse MOS-channel diode,“ IEEE IEDM Tech. Dig., Washington D.C., USA, December 2011, pp. 26.6.1 - 26.6.4.

タイトルに関連する用語 (6件)： 車載 ,  応用 ,  次世代 ,  パワーデバイス ,  GaN ,  SiC