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J-GLOBAL ID：201502208732382933   整理番号：15A1061845

InGaN/Siタンデム型太陽電池用にAlN/Si基板への厚い(約1μm)InGaNのMOVPE成長

MOVPE growth of thick (~1 μm) InGaN on AlN/Si substrates for InGaN/Si tandem solar cells

著者 (7件)： YAMAMOTO Akio (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  YAMAMOTO Akio (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  KODAMA Kazuki (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  HASAN Md. Tanvir (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  HASAN Md. Tanvir (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  KUZUHARA Masaaki (Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 8S1  ページ： 08KA12.1-08KA12.4  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/Si2重接合タンデム型太陽電池用にカギとなる技術を開発するために,Si pオンn電池構造上への厚いInGaNのMOVPE成長を調べた。MOVPE InGaNの相分離特性を解明するために,相分離が無い厚い(約1μm)In_xGa_1-xN(xが約0.5)をAlN/Si(111)ウエハ上に成長した。InGaN成長の直前にNH₃流内で1000°C付近でAlN/Siウエハをアニーリングして,n-InGaN/AlN/p-Si構造から,タンデム型電池の動作に必要十分な電流を得た。AlN/Siウエハのアニーリングにより,下部Si pn接合の劣化が生じた。このような好都合と不都合な効果の平衡には,アニーリング条件の最適化が必要である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *積層構造 ,  半導体接合 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *MOCVD ,  相分離 ,  基板 ,  ケイ素 ,  窒化アルミニウム ,  *熱処理 ,  アンモニア ,  最適化
準シソーラス用語： 2重接合 ,  多重接合 ,  *窒化ガリウムインジウム ,  MOVPE

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (19件)：

• J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, W. Shan, J. W. Ager, III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, W. K. Metzger, and S. Kurtz, J. Appl. Phys. 94, 6477 (2003).
• A. Yamamoto, Md. R. Islam, T.-T. Kang, and A. Hashimoto, Phys. Status Solidi C 7, 1309 (2010).
• A. G. Bhuiyan, K. Sugita, A. Hashimoto, and A. Yamamoto, IEEE J. Photovoltaics 2, 276 (2012).
• S. Pereira, M. R. Correia, E. Pereira, C. Trager-Cowan, F. Sweeney, K. P. O’Donnell, E. Alves, N. Franco, and A. D. Sequeira, Appl. Phys. Lett. 81, 1207 (2002).
• J. J. Wierer, Jr., A. J. Fischer, and D. D. Koleske, Appl. Phys. Lett. 96, 051107 (2010).

タイトルに関連する用語 (8件)： InGaN ,  Si ,  タンデム ,  太陽電池 ,  AlN ,  Si基板 ,  MOVPE ,  成長