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J-GLOBAL ID：201502209447179179   整理番号：15A0877755

In吸着で生じたSi(111)p-チャンネルにおけるサブバンドの特異なエネルギー分離

Unusual energy separation of subbands in Si(111) p-channels induced by In adsorption

著者 (6件)： AYOB Nur Idayu (Nara Inst. of Sci. and Technol. (NAIST), Nara, JPN) ,  TAKEDA Sakura N. (Nara Inst. of Sci. and Technol. (NAIST), Nara, JPN) ,  SAKATA Tomohiro (Nara Inst. of Sci. and Technol. (NAIST), Nara, JPN) ,  YOSHIKAWA Masaaki (Nara Inst. of Sci. and Technol. (NAIST), Nara, JPN) ,  MORITA Makoto (Nara Inst. of Sci. and Technol. (NAIST), Nara, JPN) ,  DAIMON Hiroshi (Nara Inst. of Sci. and Technol. (NAIST), Nara, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 6  ページ： 065702.1-065702.7  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)4×1-In表面の正孔のサブバンドの分離構造を角度分解光電子分光法を用いて直接調査した。本研究では,異なった不純物濃度とフラッシュアニーリング(FA)回数を経た3つの反転層を調査した。FA回数が少なく,不純物濃度の高いでサンプルに対してより広いエネルギー分離を観測した。しかしながら,観測されたエネルギーレベル及び分離は,三角ポテンシャル近似で計算されたものよりも小さな結合エネルギーであった。この不一致は,高温FAによってシリコンの水面下の領域からのヒ素原子の外方拡散に起因することがわかった。水面下の領域でのヒ素ドーパント原子の外方拡散を考慮した,空間電荷層の可能なポテンシャルプロファイルを提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *吸着 ,  *結晶方位 ,  *バンド構造 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  拡散 ,  空乏層
準シソーラス用語： *Si(111) ,  *サブバンド構造 ,  外方拡散 ,  角度分解光電子分光法 ,  空間電荷層 ,  原子吸着

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

引用文献 (26件)：

• S. N. Takeda, N. Higashi, and H. Daimon, Phys. Rev. B 82, 035318 (2010).
• E. P. O'Reilly and G. P. Witchlow, Phys. Rev. B 34, 6030 (1986).
• R. Oberhuber, G. Zandler, and P. Vogl, Phys. Rev. B 58, 9941 (1998).
• J. Wunderlich, B. Kaestner, J. Sinova, and T. Jungwirth, Phys. Rev. Lett. 94, 047204 (2005).
• Z. F. Wang, Q. Li, Q. W. Shi, X. Wang, J. Yang, J. G. Hou, and J. Chen, Appl. Phys. Lett. 92, 133114 (2008).

タイトルに関連する用語 (5件)： 吸着 ,  Si ,  チャンネル ,  サブバンド ,  エネルギー