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J-GLOBAL ID：201502210909384553   整理番号：15A1351363

ノーマリオフGaNトランジスタのパワーエレクトロニクス応用

著者 (1件)： 江川孝志 (名古屋工大)
資料名： エネルギーデバイス  (Energy Device)
巻： 2  号： 6  ページ： 62-64  発行年： 2015年08月30日 
JST資料番号： F1332A  ISSN： 2188-1383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコンデバイスは,シリコンの物性限界に直面し,大幅な性能向上は,もはや困難な状況にある。このSiの物性限界を大幅に打破出来る半導体材料として,シリコンカーバイト(SiC)窒化ガリウムやダイヤモンド等の新しいワイドギャップ半導体に大きな期待が寄せられている。個々では,価格,サイズ,放熱性等の観点から生産性,量産性を考慮して,Siを基板としたAlGaN/GaN HEMTの結晶成長及びノーマリオフ特性について報告した。

シソーラス用語： パワーエレクトロニクス ,  *窒化ガリウム ,  *トランジスタ ,  炭化ケイ素 ,  生産性 ,  *ヒートシンク ,  *HEMT ,  結晶成長
準シソーラス用語： *GaNトランジスタ ,  *放熱性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (6件)：

• S. L. Selvaraj et al., Appl. Phys. Lett., 90, 173506-1 (2007)
• T. Egawa et al., IEEE Electron Device Lett., 26, 169 (2005)
• M. Akiyama et al., Jpn. J. Appl. Phys., 23, L843 (1984)
• H. Amano et al., Appl. Phys. Lett., 48, 353 (1986)
• H. Ishikawa et al., Jpn. J. Appl. Phys., 38, L492 (1999)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  トランジスタ ,  パワーエレクトロニクス ,  応用