文献

J-GLOBAL ID：201502210981391466   整理番号：15A0760179

EUV及び軟X線波長における干渉リソグラフィー: 原理,方法,応用

Interference lithography at EUV and soft X-ray wavelengths: Principles, methods, and applications

著者 (3件)： MOJARAD Nassir (Lab. for Micro and Nanotechnology, Paul Scherrer Inst., 5232 Villigen, CHE) ,  GOBRECHT Jens (Lab. for Micro and Nanotechnology, Paul Scherrer Inst., 5232 Villigen, CHE) ,  EKINCI Yasin (Lab. for Micro and Nanotechnology, Paul Scherrer Inst., 5232 Villigen, CHE)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 143  ページ： 55-63  発行年： 2015年08月01日 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 干渉リソグラフィーは周期構造を光の回折限界でパターン形成する効果的方法である。極端紫外線や軟X線などの短波長の利用はフォトレジスト吸収や低い近接効果などの点から有利であるが,技術的に困難である。本論文では,幾つかの研究グループによる研究を光源,機器,成果の観点から概説した。Swiss Light SourceのWIL-IIビームラインでの照射光源の配置やRWTH Aachenの卓上装置を技術的に詳しく述べた。高分解能マスクの製造と実装及び最先端の分解能でのフォトレジストパターン形成における成果について述べた。また,これらの波長領域におけるパターン形成の他の方法について述べた。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 極端紫外線 ,  軟X線 ,  限界 ,  フォトレジスト ,  *フォトリソグラフィー ,  ナノワイヤ ,  シンクロトロン放射 ,  ビームライン ,  *X線リソグラフィー
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー ,  ケイ素ナノワイヤ ,  回折限界 ,  *干渉リソグラフィー ,  軟X線リソグラフィー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： EUV ,  軟X線 ,  波長 ,  干渉リソグラフィー ,  原理 ,  応用