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J-GLOBAL ID：201502213043472139   整理番号：15A1151885

PdO//Pdバッファ層を用いた{110}配向Pb(Zr,Ti)O₃(PZT)薄膜の作製と評価

著者 (8件)： 内山潔 (鶴岡工高専) ,  大島直也 (東京工大) ,  田中宏樹 (東京工大) ,  江原祥隆 (東京工大) ,  及川貴弘 (東京工大) ,  佐藤智也 (鶴岡工高専) ,  内田寛 (上智大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)
巻： 28th  ページ： ROMBUNNO.1G04  発行年： 2015年09月01日 
JST資料番号： L2240B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *誘電体薄膜 ,  *強誘電体 ,  基板 ,  白金 ,  ケイ素 ,  *スパッタ蒸着 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *パラジウム ,  金属薄膜 ,  酸化 ,  酸化膜 ,  表面処理 ,  *酸化パラジウム ,  *バッファ層 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  ストロンチウム化合物 ,  *ルテニウム化合物 ,  酸素酸塩 ,  導体 ,  *MOCVD ,  *ルテニウム酸ストロンチウム ,  強誘電体薄膜 ,  表面酸化 ,  ペロブスカイト型構造 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  ペロブスカイト構造 ,  導電体

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (12件)： PDO ,  PD ,  バッファ層 ,  配向 ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  PZT ,  薄膜 ,  作製 ,  評価