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J-GLOBAL ID：201502216815284498   整理番号：15A0533009

InGaAs軸方向接合ナノワイヤアレイ太陽電池

InGaAs axial-junction nanowire-array solar cells

著者 (6件)： NAKAI Eiji (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  CHEN Muyi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  YOSHIMURA Masatoshi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TOMIOKA Katsuhiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TOMIOKA Katsuhiro (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  FUKUI Takashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 1  ページ： 015201.1-015201.4  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 位置を制御したGaAsナノワイヤアレイを有する軸方向p-i-n接合ナノワイヤ(NW)太陽電池(SC)を領域選択有機金属化学気相成長法(SA-MOVPE)により作製した。測定した電子ビーム誘起電流信号は軸方向p-i-n接合の形成を示し,太陽光照射下の発電を確認した。NW SCの直列抵抗は他のIII-V化合物半導体やSiに基づく通常の平面SCのそれよりも遥かに高い。これらのNW SCの製造に関係する主な困難さはGaAsNWと透明電極として堆積した酸化インジウム錫(ITO)の間の直列抵抗の劣化である。ITOとNWアレイの間にパルスドーピングで形成した錫ドーピング接触層を導入して,作製したGaAs NW SCの直列抵抗を低下させた。この改良した構造の結果,作製したSCはAM1.5G照射下で7.14%の全変換効率に対して0.544Vの開路電圧,18.2mA/cm²,の短絡電流,0.721の曲線因子を示した。SCの直列抵抗を0.132Ω・cm²に低減でき,これは高ドープ接触層を持たないSCのそれよりも一桁小さい。この低い直列抵抗は透明電極を持つナノ構造SCと高効率の多重接合NW SCを商用ベースで近い将来製造できることを示唆する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  *半導体接合 ,  ナノワイヤ ,  *太陽電池 ,  PIN接合 ,  MOCVD ,  電気抵抗 ,  酸化インジウムスズ ,  効率 ,  電圧 ,  短絡電流 ,  パラメータ ,  多重接合 ,  直列抵抗 ,  変換効率
準シソーラス用語： MOVPE ,  開路電圧 ,  曲線因子 ,  酸化インジウム錫 ,  軸方向接合

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (33件)：

• K. Tomioka, M. Yoshimura, and T. Fukui, Nature 488, 189 (2012).
• K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara, K. Hiruma, and T. Fukui, Nano Lett. 10, 1639 (2010).
• C. Li, B. Lei, D. Zhang, X. Liu, S. Han, T. Tang, M. Rouhanizadeh, T. Hsiai, and C. Zhou, Appl. Phys. Lett. 83, 4014 (2003).
• J. Wang, M. S. Gudiksen, X. Duan, Y. Cui, and C. M. Lieber, Science 293, 1455 (2001).
• G. Mariani, P. S. Wong, A. M. Katzenmeyer, F. Léonard, J. Shapiro, and D. L. Huffaker, Nano Lett. 11, 2490 (2011).

タイトルに関連する用語 (3件)： InGaAs ,  ナノワイヤアレイ ,  太陽電池