文献

J-GLOBAL ID：201502217624003178   整理番号：15A0960192

2つの超臨界流体に基づく堆積技術の結合によるナノ・インプリント・リソグラフィのためのNi型の製作

Fabrication of Ni mold for nanoimprint lithography by combining two supercritical fluid-based deposition technologies

著者 (3件)： MOMOSE Takeshi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KAWADA Hiroto (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIMOGAKI Yukihiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 7  ページ： 076501.1-076501.4  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 幅100nm,そして,アスペクト比1の模様のついたポリマー・レジスト薄膜にNiを満たすことによって,ナノインプリント・リソグラフィのためのナノスケール3次元(3D)Ni型の製作方法を開発した。2つの超臨界流体に基づく技術の組合せによってこれを達成した:Pdの超臨界流体含浸(SCFI)とNiの超臨界流体堆積(SCFD)。レジスト表面に対する触媒効果を提供する,Pdナノ粒子は,SCFIによって3D模様のついたレジスト薄膜の表面上に最初に形成され,これがその後のNi-SCFDを始めた。それから,優れた填隙性能を利用してNiはSCFDによって模様のついたレジストに満たされた。提案した計画は,100nm以下まで縮尺した構造に適用される可能性を持っている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 超臨界流体 ,  堆積 ,  *リソグラフィー ,  ナノ構造 ,  アスペクト比 ,  ニッケル ,  パラジウム ,  *レジスト

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (34件)：

• International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2013 edition.
• S. Y. Chou, P. R. Krauss, and P. J. Renstrom, Appl. Phys. Lett. 67, 3114 (1995).
• S. Y. Chou and P. R. Krauss, Microelectron. Eng. 35, 237 (1997).
• C.-H. Lin, B. Greene, S. Narasimha, J. Cai, A. Bryant, C. Radens, V. Narayanan, B. Linder, H. Ho, A. Aiyar, E. Alptekin, J.-J. An, M. Aquilino, R. Bao, V. Basker, N. Breil, M. Brodsky, W. Chang, L. Clevenger, D. Chidambarrao, C. Christiansen, D. Conklin, C. DeWan, H. Dong, L. Economikos, B. Engel, S. Fang, D. Ferrer, A. Friedman, A. Gabor, F. Guarin, X. Guan, M. Hasanuzzaman, J. Hong, D. Hoyos, B. Jagannathan, S. Jain, S.-J. Jeng, J. Johnson, B. Kannan, Y. Ke, B. Khan, B. Kim, S. Koswatta, A. Kumar, T. Kwon, U. Kwon, L. Lanzerotti, H.-K. Lee, W.-H. Lee, A. Levesque, W. Li, Z. Li, W. Liu, S. Mahajan, K. McStay, H. Nayfeh, W. Nicoll, G. Northrop, A. Ogino, C. Pei, S. Polvino, R. Ramachandran, Z. Ren, R. Robison, I. Saraf, V. Sardesai, S. Saudari, D. Schepis, C. Sheraw, S. Siddiqui, L. Song, K. Stein, C. Tran, H. Utomo, R. Vega, G. Wang, H. Wang, W. Wang, X. Wang, D. Wehelle-Gamage, E. Woodard, Y. Xu, Y. Yang, N. Zhan, K. Zhao, C. Zhu, K. Boyd, E. Engbrecht, K. Henson, E. Kaste, S. Krishnan, E. Maciejewski, H. Shang, N. Zamdmer, R. Divakaruni, J. Rice, S. Stuffier, and P. Agnello, IEDM Tech. Dig., 2014, p. 74.
• C. M. S. Torres, S. Zankovych, J. Seekamp, A. P. Kam, C. C. Cedeño, T. Hoffmann, J. Ahopelto, F. Reuther, K. Pfeiffer, G. Bleidiessel, G. Gruetzner, M. V. Maximov, and B. Heidari, Mater. Sci. Eng. C 23, 23 (2003).

タイトルに関連する用語 (4件)： 超臨界流体 ,  堆積 ,  Ni ,  製作