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J-GLOBAL ID：201502219995983542   整理番号：15A0841886

窒素雰囲気中におけるパルスレーザー蒸着法によるサファイア(0001)基板上へのβ-AlN薄膜のヘテロエピタキシャル成長

Heteroepitaxial growth of β-AlN films on sapphire (0001) in nitrogen atmospheres by pulse laser deposition

著者 (8件)： YOSHIDA Tomohiro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  YOSHIDA Tomohiro (Kurume National Coll. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  UEDA Yutaro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  DAIO Takeshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TOMINAGA Aki (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  OKAJIMA Toshihiro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  OKAJIMA Toshihiro (Kyushu Synchrotron Light Res. Center, Saga, JPN) ,  YOSHITAKE Tsuyoshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 6S1  ページ： 06FJ05.1-06FJ05.3  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 焼結したAlNターゲットを用いたパルスレーザー蒸着法によって,階段状の滑らかな表面を持つサファイア(0001)基板上に窒素雰囲気中で,β-AlN薄膜をヘテロエピタキシャル成長させ,薄膜の構造をX線回折法(XRD)と透過型電子顕微鏡(TEM)によって研究した。β-AlN(111)の横方向成長を,2θ-θの走査下におけるXRDによって確認した。TEMによる測定から導出したβ-AlNとサファイアの間のエピタキシャル関係は,β-AlN(111)[121]∥サファイア(0001)[1120]であることが分かった。薄膜に関する電子回折パターンから,転位欠陥の存在が示唆された。ヘテロエピタキシャル成長は,多分,界面における転位欠陥の発生を伴うドメイン整合エピタキシャル成長であると思われる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *パルスレーザ蒸着 ,  *窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  窒素 ,  雰囲気 ,  基板 ,  サファイア ,  *ヘテロエピタクシー ,  X線回折 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子回折 ,  欠陥
準シソーラス用語： 窒素雰囲気 ,  *転位欠陥

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (21件)：

• P. Pobedinskas, B. Ruttens, J. D’Haen, and K. Haenen, Appl. Phys. Lett. 100, 191906 (2012).
• Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, Nature 441, 325 (2006).
• M. Kneissl, Z. Yang, M. Teepe, C. Knollenberg, O. Schmidt, P. Kiesel, N. M. Johnson, S. Schujman, and L. J. Schowalter, J. Appl. Phys. 101, 123103 (2007).
• M. Dubois and P. Muralt, Appl. Phys. Lett. 74, 3032 (1999).
• I. Petrov, E. Mojab, R. C. Powell, J. E. Greene, L. Hultman, and J. E. Sundgren, Appl. Phys. Lett. 60, 2491 (1992).

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒素雰囲気 ,  パルスレーザー蒸着 ,  サファイア ,  AlN ,  薄膜 ,  成長