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J-GLOBAL ID：201502221057956603   整理番号：15A1103727

絶縁バリアとしてのSiN_x膜の低温作製

Low temperature deposition of SiN_x films as an insulating barrier

著者 (6件)： 武山真弓 (北見工大) ,  佐藤勝 (北見工大) ,  小林靖志 (富士通研) ,  中田義弘 (富士通研) ,  中村友二 (富士通研) ,  野矢厚 (北見工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 179(CPM2015 31-45)  ページ： 15-18  発行年： 2015年08月03日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 微細化により達成してきた従来のLSIの高性能化は,量子限界や微細化限界が切迫し,新たな方向性の検討が盛んに行われている。その一つに,3次元集積回路技術がある。近年,ウェハ間を最短で配線するシリコン貫通ビア配線(Through Si Via:TSV)の実現により,急速に3次元LSIが発展してきた。中でも,ウェハ一括処理で3次元積層することが可能なWOWプロセスは200°C以下の低温ですべてのプロセスを行う必要があるため,本研究では基板加熱せずともSiN_x膜が得られる反応性スパッタ法を適用し,TSVへのステップカバレージ特性を検討した。その結果,WOWで用いるアスペクト比1.5のTSVビア内へ,SiN_x膜単体,そしてSiN_x/ZrN_x/Cu積層構造共に優れたステップカバレージ特性を示すことが明らかとなった。したがって,本研究で用いたSiN_x膜はWOWプロセスに十分適用可能であることが明らかにされた。(著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  構成 ,  *薄膜成長 ,  *低温生成 ,  *絶縁膜 ,  集積回路 ,  バイアホール ,  LSI【IC】 ,  反応性スパッタリング ,  被覆率
準シソーラス用語： *成膜 ,  三次元集積回路 ,  Si貫通ビア

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (13件)：

• K. Takahashi, H. Terao, Y. Tomita, Y. Yamaji, M. Hoshino, T. Sato, T. Morifuji, M. Sunohara, M. Bonkohara: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 3032.
• T. Ohba, N. Maeda, H. Kitada, K. Fujimoto, K. Suzuki, T. Nakamura, A. Kawai, K. Arai: Microelectron. Eng. 87 (2010) 485.
• A. Takano, M. Sunohara, M. Higashi, I. Hayakawa, K. Ohta, and Y. Sasajima, Proc.ECTC 61^st (2011) 849.
• S.Kato, T. Tango, K. Hasegawa, R. K. Bhandari, A. Sakai, H. Segawa, T. Kiriya, and T. Sudo, Prc. ECTC 59^th (2009) 1648.
• M. Sunohara, A. Shiraishi, Y.Taguchi, K. Murayama, M. Higashi, and M. Shimizu, ECTC 59^th (2009) 25.

タイトルに関連する用語 (4件)： 絶縁 ,  バリア ,  低温 ,  作製