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J-GLOBAL ID：201502222223687352   整理番号：15A0723852

15nm CMOS技術による低電力64Gb MLC NANDフラッシュメモリ

A Low-Power 64Gb MLC NAND-Flash Memory in 15nm CMOS Technology

著者 (27件)： SAKO Mario (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  WATANABE Yoshihisa (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  NAKAJIMA Takao (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  SATO Jumpei (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  MURAOKA Kazuyoshi (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  FUJIU Masaki (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  KOUNO Fumihiro (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  NAKAGAWA Michio (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  MASUDA Masami (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  KATO Koji (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  TERADA Yuri (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  SHIMIZU Yuki (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  HONMA Mitsuaki (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  IMAMOTO Akihiro (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  ARAYA Tomoko (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  KONNO Hayato (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  OKANAGA Takuya (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  FUJIMURA Tomofumi (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  WANG Xiaoqing (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  MURAMOTO Mai (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  KAMOSHIDA Masahiro (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  KOHNO Masatoshi (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  SUZUKI Yoshinao (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  HASHIGUCHI Tomoharu (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  KOBAYASHI Tsukasa (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  YAMAOKA Masashi (Toshiba Semiconductor and Storage Products, Yokohama, JPN) ,  YAMASHITA Ryuji (Sandisk, Yokohama, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 6(ICD2015 1-15)  ページ： 27-30  発行年： 2015年04月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電源電圧1.5Vでプログラムスループット30MB/s,データ転送レート533MB/sが可能な75mm²低電力64Gb MLC NANDフラッシュメモリを15nm CMOS技術で開発する。新たなポンピング方式により,3.3V設計から36%電力低減を達成する。低電流ピークという新たな特徴は,4ダイの事例についてマルチダイ並行プログラミングピークを65%,そして消去検証ピークを40%,それぞれ低減する。ビット線放電時間を70%低減するナノスケールトランジスタを導入し,性能を改良する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  *消費電力 ,  最適化 ,  励起 ,  電流 ,  検出 ,  スループット ,  トランジスタ
準シソーラス用語： *NANDフラッシュメモリ ,  ナノトランジスタ ,  ピーク電流 ,  設計最適化 ,  *低電力 ,  電荷ポンピング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (6件)：

• S. Choi, et al., ”A 93.4mm² 64Gb MLC NAND-Flash Memory with 16nm CMOS Technology”, ISSCC Dig. Tech. Papers, pp. 334-335, Feb. 2014.
• N. Shibata et al., ”A 19nm 112.8mm² 64Gb Multi-Level Flash Memory with 400Mb/s/pin 1.8V Toggle Mode Interface”, ISSCC Dig. Tech. Papers, pp. 422- 423, Feb. 2012.
• D. Lee et al., ”A 64Gb 533Mb/s DDR Interface MLC NAND Flash in Sub-20nm Technology”, ISSCC Dig. Tech. Papers, pp. 430-431, Feb. 2012.
• R. Cernea et al., ”A 34MB/s-Program-Throughput 16Gb MLC NAND with All- Bitline Architecture in 56nm”, ISSCC Dig. Tech. Papers, pp. 420-421, Feb. 2008.
• K. Fukuda et al., ”A 151mm² 64Gb MLC NAND Flash Memory in 24nm CMOS Technology”, ISSCC Dig. Tech. Papers, pp. 198-199, Feb. 2011.

タイトルに関連する用語 (3件)： CMOS技術 ,  低電力 ,  NANDフラッシュメモリ