文献

J-GLOBAL ID：201502242094055094   整理番号：15A0700863

超低供給電圧動作のための比率のない完全相補型12-トランジスタ・スタティックRAM

Ratioless full-complementary 12-transistor static random access memory for ultra low supply voltage operation

著者 (6件)： KONDO Takahiro (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  YAMAMOTO Hiromasa (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  HOKETSU Satoko (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  IMI Hitoshi (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  OKAMURA Hitoshi (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  NAKAMURA Kazuyuki (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 4S  ページ： 04DD11.1-04DD11.6  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究で,比率のない完全相補型12-トランジスタ・スタティックRAM(SRAM)を開発し,超低供給電圧範囲下でその動作を評価するために測定した。比率のないSRAM設計概念は,静的雑音マージン(SNM)を考慮しないメモリー・セル設計を可能にする。さらにまた,それはトランジスタ・パラメータ(W/L)セッティングの制限とデバイス特性の変わりやすさに対する依存なしでSRAM関数を可能にする。従来の6-トランジスタSRAMセルと比率のない完全補完的 12-トランジスタSRAMセルの両方を含むテスト・チップを超低供給電圧条件での安定した動作を比較するため180nmのCMOSプロセスにより開発した。計測した結果は,比率のない完全相補型12-トランジスタSRAMがデバイス可変性に対し優れた免疫があることを示し,そして,0.22Vの供給電圧の固有の動作能力を実験的に確かめた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *トランジスタ ,  *SRAM ,  電力供給 ,  動作 ,  雑音 ,  可変性 ,  設計

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

引用文献 (27件)：

• E. Seevinck, F. J. List, and J. Lohstroh, IEEE J. Solid-State Circuits 22, 748 (1987).
• T. Hiramoto, M. Suzuki, X. Song, K. Shimizu, T. Saraya, A. Nishida, T. Tsunomura, S. Kamohara, K. Takeuchi, and T. Mogami, IEEE Trans. Electron Devices 58, 2249 (2011).
• E. Grossar, M. Stucchi, K. Maex, and W. Dehaene, IEEE J. Solid-State Circuits 41, 2577 (2006).
• K. Nakamura, K. Noda, and H. Koike, IEEE Int. Conf. Microelectronic Test Structures (ICMTS), 2009, p. 9.
• H. Yamauchi, J. Semicond. Technol. Sci. 9, 37 (2009).

タイトルに関連する用語 (4件)： 供給電圧 ,  比率 ,  トランジスタ ,  スタティックRAM