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J-GLOBAL ID：201502242120863404   整理番号：15A0445761

高品質Ge/Al/ガラス構造用の逆Al誘起層交換プロセスに対する拡散制御層の影響

Effect of Diffusion Control Layer on Reverse Al-Induced Layer Exchange Process for High-Quality Ge/Al/Glass Structure

著者 (3件)： NAKAZAWA K. (Univ. of Tsukuba, Inst. of Applied Physics, 1-1-1 Tennodai, 305-8573, Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  TOKO K. (Univ. of Tsukuba, Inst. of Applied Physics, 1-1-1 Tennodai, 305-8573, Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SUEMASU T. (Univ. of Tsukuba, Inst. of Applied Physics, 1-1-1 Tennodai, 305-8573, Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 44  号： 5  ページ： 1377-1381  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 導電膜を被覆したガラス上に大結晶の多結晶Ge(poly-Ge)を製作することは,高効率のIII-Vタンデム太陽電池の製造コスト低減の期待できる方法である。筆者等は,Al誘起層交換を使ったpoly-Ge/Al/ガラス構造の自己組織化形成について検討した。多結晶GeとAl層の層交換を350°Cの低温で行った。GeとAl間の中間層を形成し,即ち,GeのAlへの拡散を制限して,Geの核形成速度を低下させ,生じたpoly-Ge相の結晶サイズを大きくした。薄いAl薄膜(2nm厚み)を空気に180分間曝して形成した自然酸化Al中間層は,poly-Geの結晶サイズを46μmにした。さらに,Ge層は高度に(111)配向した。このGe/Al/ガラス構造は,III-V半導体系タンデム太陽電池の底部セルおよび整列ナノワイヤや他の最新材料のエピタキシャルテンプレイートとしての使用が期待される。Copyright 2014 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 多結晶 ,  *ゲルマニウム ,  *太陽電池 ,  積層構造 ,  化合物半導体 ,  *自己組織化 ,  原価低減 ,  速度 ,  核形成 ,  酸化物 ,  拡散律速反応
準シソーラス用語： Ge ,  III-VI化合物半導体 ,  コスト低減 ,  *タンデム太陽電池 ,  拡散制御反応 ,  核形成速度 ,  自然酸化物

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高品質 ,  Ge ,  Al ,  ガラス構造 ,  誘起 ,  プロセス ,  拡散 ,  制御層