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J-GLOBAL ID：201502243671340492   整理番号：15A0109123

徐冷法を用いて育成したAgBiS₂単結晶とその特性評価

AgBiS₂ single crystal grown using slow cooling method and its characterization

著者 (7件)： NAKAMURA Masaru (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, Ibaraki, JPN) ,  NAKAMURA Hiroaki (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, Ibaraki, JPN) ,  OHSAWA Takeo (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, Ibaraki, JPN) ,  IMURA Masataka (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, Ibaraki, JPN) ,  SHIMAMURA Kiyoshi (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, Ibaraki, JPN) ,  OHASHI Naoki (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, Ibaraki, JPN) ,  OHASHI Naoki (Materials Res. Center for Element Strategy, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 411  ページ： 1-3  発行年： 2015年02月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 徐冷法を用いて,硫化銀ビスマス(AgBiS₂)単結晶を育成するのに成功した。育成した結晶の粉末X線回折(XRD)を用いた特性評価から,AgBiS₂単一相,並びに,格子パラメータa=5.641Åの立方晶構造であることが明らかになった。結晶は立方晶構造を有する高温相であることが分かった。XRD測定と組成分析から,AgBiS₂の化学量論的組成は一致溶融組成と等しいことが明らかになった。育成したAgBiS₂結晶は,LaueX線後方散乱パターンの観測から単結晶であることを確認した。示差熱分析から,AgBiS₂の溶融点は805°Cであることが明らかになった。育成した結晶は,室温でn型伝導度,キャリア濃度2.6×10¹⁸cm^-3,電気伝導度2.1Ωcmおよび正孔移動度1.1cm²/Vsを有していた。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 徐冷 ,  *融液成長 ,  *単結晶 ,  硫化物 ,  *銀化合物 ,  ビスマス化合物 ,  格子定数 ,  *結晶構造 ,  立方晶系 ,  X線回折 ,  化学組成 ,  融点 ,  後方散乱 ,  *電気伝導率 ,  キャリア密度 ,  キャリア移動度 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： Laue法 ,  X線後方散乱 ,  化学量論組成 ,  正孔移動度 ,  電気伝導度

分類 (3件)： その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 徐冷 ,  単結晶 ,  特性評価