配向結晶InGaZnOチャンネルを使用した薄膜トランジスタの構造と電気特性

YEN Shiang-Shiou; HSU Hsiao-Hsuan; CHIOU Ping; CHENG Chun-Hu; TUNG Chien-Hung; LAI Yu-Chien; LI Hung-Wei; CHANG Chih-Pang; LU Hsueh-Hsing; CHUANG Ching-Sang; LIN Yu-Hsin; CHANG Chun-Yen

文献

J-GLOBAL ID：201502246021566770 整理番号：15A0700882

配向結晶InGaZnOチャンネルを使用した薄膜トランジスタの構造と電気特性

Structural and electrical characteristics of thin film transistor employing an oriented crystalline InGaZnO channel

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資料名：
巻： 54 号： 4S ページ： 04DF05.1-04DF05.5 発行年： 2015年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

この研究で,配向結晶InGaZnO(IGZO)薄膜トランジスタの影響を研究した。温度に敏感なIGZO薄膜の界面熱力学安定性を評価するため高-と低-インジウム-含量InGaZnO薄膜の構造安定性を研究した。700°Cまでアニーリング温度を上昇させることで,結晶化度は,より明確になり一方デバイス電気特性はさらに改善した。明らかに低減したオフ状態電流はX線回折ピークが(0,0,16)に位置するc-軸配向結晶の形成に起因するとが分った。性能改善は,0電圧に近い非常に低いターンオン電圧,130mV/decの小さな閾値下の揺れ,そして,4Vの低い動作電圧での2.4×10^-14A/μmの低いオフ状態電流を含む。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (29件)：

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