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J-GLOBAL ID：201502251023595178   整理番号：15A0460369

hp16nm/ロジック11nmノード世代のEBマスク描画装置EBM-9000の描画時間推定

Writing time estimation of EB mask writer EBM-9000 for hp16nm/logic11nm node generation

著者 (5件)： KAMIKUBO Takashi (NuFlare Technol., Inc., Yokohama, JPN) ,  TAKEKOSHI Hidekazu (NuFlare Technol., Inc., Yokohama, JPN) ,  OGASAWARA Munehiro (NuFlare Technol., Inc., Yokohama, JPN) ,  YAMADA Hirokazu (NuFlare Technol., Inc., Yokohama, JPN) ,  HATTORI Kiyoshi (NuFlare Technol., Inc., Yokohama, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9231  ページ： 923107.1-923107.9  発行年： 2014年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 主にEUVリソグラフィーの遅れなどによる製作の制限のために,半導体デバイスのスケーリングが遅れている。hp16nm/ロジック11nm世代のために,新しい電子ビーム(EB)マスク描画装置EBM-9000を開発した。液浸レンズ系を使用した本描画装置は,800A/cm²の高い電流密度を達成するためにEBM-8000から進化させた。ここでは,本描画装置のショット数と線量のトレンドを検討した。また,EBM-9000に要求される描画時間を推定した。

シソーラス用語： *装置 ,  *電子ビームリソグラフィー ,  フォトマスク ,  フォトリソグラフィー ,  スループット ,  レンズ ,  液浸レンズ ,  マスク
準シソーラス用語： EUVリソグラフィー ,  描画 ,  *描画装置

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： ロジック ,  ノード ,  世代 ,  EB ,  マスク ,  描画装置 ,  描画時間 ,  推定