文献

J-GLOBAL ID：201502253707701808   整理番号：15A0364768

低転位GaN基板を用いた縦型ショットキーバリアダイオードの高速スイッチング特性

Fast Recovery Performance of Vertical Schottky Barrier Diodes on Low Dislocation Density Freestanding GaN Substrates

著者 (5件)： 吉本晋 (住友電気工業) ,  岡田政也 (住友電気工業) ,  三橋史典 (住友電気工業) ,  石塚貴司 (住友電気工業) ,  上野昌紀 (住友電気工業)
資料名： SEIテクニカルレビュー  (住友電気)
号： 186  ページ： 31-35  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： F0314A  ISSN： 1343-4330  CODEN： SUDEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaNデバイスは,シリコン基板やサファイア基板上に製作されることが多く,その界面の結晶性が不十分であることから横型デバイスの開発が主である。本稿では,住友電工で開発した低転位GaN基板を用いて縦型ショットキーバリアダイオード(SBD)を製作し,特性評価を行った。その結果,同条件でSiダイオードやSiC SBDと比較して,高速で逆回復特性を持つことが確認できた。このことから,スイッチング周波数増加を可能とし,結果として電力変換装置や電源の小型化が期待できる。また,30MHzの整流回路を用いて比較した結果,消費電力が最も低く,高効率なデバイスとしての実用性が分かった。1000時間の通電試験でも大きな劣化は無かった。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  転位【結晶】 ,  縦型 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  特性 ,  スイッチング ,  周波数 ,  *電力変換器 ,  小型化 ,  消費電力
準シソーラス用語： GaN ,  Schottkyバリアダイオード ,  スイッチング周波数 ,  スイッチング特性 ,  電力変換装置

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

引用文献 (6件)：

• W. Saito, I. Omura, T. Ogura, H. Ohashi, Solide-state. Electron., 48 (2004) 1555
• K. Motoki, T. Okahisa, R. Hirota, S. Nakahata, K. Uematsu, and N. Matsumoto, J. Cryst. Growth. 305 (2007) 377
• S. Hashimoto, Y. Yoshizumi, T. Tanabe, M. Kiyama, J. Cryst. Growth. 298 (2007) 871
• 堀井拓、宮崎富仁、斎藤雄、橋本信、田辺達也、木山誠、SEIテクニカルレビュー第174号、p.p.77-80(2009)
• 住吉和英、岡田政也、上野昌紀、木山誠、中村孝夫、SEIテクニカルレビュー第183号、p.p.120

タイトルに関連する用語 (5件)： 転位 ,  GaN ,  縦型 ,  ショットキーバリアダイオード ,  スイッチング特性