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J-GLOBAL ID:201502255550679652   整理番号:15A0508690

ドライエッチングがAl2O3/AlGaN/GaN構造のMOS界面特性に与える影響

著者 (6件):
資料名:
巻: 62nd  ページ: ROMBUNNO.13P-P17-16  発行年: 2015年02月26日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (1件):
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金属-絶縁体-半導体構造 

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