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J-GLOBAL ID：201502256578085100   整理番号：15A0556680

大型単結晶ダイヤモンドの成長を目的とする数値解析マイクロ波放電的研究

Numerical microwave plasma discharge study for the growth of large single-crystal diamond

著者 (4件)： YAMADA Hideaki (Res. Inst. for Ubiquitous Energy Devices, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-8-31 ...) ,  CHAYAHARA Akiyoshi (Res. Inst. for Ubiquitous Energy Devices, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-8-31 ...) ,  MOKUNO Yoshiaki (Res. Inst. for Ubiquitous Energy Devices, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-8-31 ...) ,  SHIKATA Shinichi (Res. Inst. for Ubiquitous Energy Devices, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-8-31 ...)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 54  ページ： 9-14  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 25mm²を超える領域にわたっての炭化水素ラジカルの空間濃度とそれらの均一性を明らかにするためにマイクロ波プラズマ放電シミュレーションを行った。制御可能な成長パラメータへのこれらの依存関係も明らかにした。パラメータには吸収マイクロ波電力,供給ガス混合物中のメタン濃度及びガス圧力を含む。原料ガス種に対する単純化化学によって得たラジカル濃度はほかの報文で特定されている濃度と一致する。ラジカル濃度は実験による成長速度とは一致したが,それらの分布とは一致しなかった。このことは基板温度の均一性とCH₃に加えてCH_x(×<3)からの寄与の重要性を示唆するものである。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ダイヤモンド ,  単結晶 ,  大型 ,  *結晶成長 ,  プラズマCVD ,  *マイクロ波 ,  *数値解析 ,  *成長速度 ,  原料 ,  濃度依存性 ,  圧力効果 ,  ラジカル ,  アルキル基 ,  電力 ,  基板 ,  温度依存性 ,  計算機シミュレーション ,  Lennard-Jonesポテンシャル ,  アルカン
準シソーラス用語： *マイクロ波プラズマ放電化学蒸着 ,  マイクロ波電力 ,  メチル基 ,  原料ガス ,  *大型単結晶ダイヤモンド

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (6件)： 大型 ,  単結晶ダイヤモンド ,  成長 ,  数値解析 ,  マイクロ波放電 ,  研究