CVD成長させた高濃度Alドープの4H-SiCエピウェーハの反りのNの同時ドーピングによる緩和に関する実験

JI Shi-Yang; KOJIMA Kazutoshi; ISHIDA Yuuki; SAITO Shingo; YAMAGUCHI Hirotaka; YOSHIDA Sadafumi; TSUCHIDA Hidekazu; OKUMURA Hajime

文献

J-GLOBAL ID：201502260893777661 整理番号：15A0700971

CVD成長させた高濃度Alドープの4H-SiCエピウェーハの反りのNの同時ドーピングによる緩和に関する実験

Experiment on alleviating the bending of CVD-grown heavily Al-doped 4H-SiC epiwafer by codoping of N

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資料名：
巻： 54 号： 4S ページ： 04DP08.1-04DP08.4 発行年： 2015年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

一般に,n⁺基板上に成長させた高濃度Alドープ4H-SiCエピ層で生じる凸状のウェハの反りを緩和するために,CVD成長の過程において,Alドーパントガスと一緒に窒素ガスを意図的に導入した。これはAlとNの同時ドーピングに相当する。様々な流速でN₂を導入することから,供給流量の増大に伴って混入するN不純物の濃度は増大するが,Al濃度は一定であることが分かった。4H-SiC中にNとAlとを同時ドープすることにより,ウエハーの反りが大幅に低減することが分かった。結晶構造の測定から,N不純物の導入によってp⁺エピタキシャル層とn⁺基板の間の格子定数の違いが低減するために,大きなウエハーの反りが緩和することが判明した。(翻訳著者抄録)

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半導体薄膜

引用文献 (31件)：

P. Friedrichs, Phys. Status Solidi B 245, 1232 (2008).
Q. C. Zhang and A. K. Agarwal, Phys. Status Solidi A 206, 2431 (2009).
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H. Tsuchida, I. Kamata, T. Jikimoto, and K. Izumi, Mater. Sci. Forum 338-342, 145 (2000).

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