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J-GLOBAL ID：201502270470793216   整理番号：15A0473231

将来のパワーデバイスに向けたSiC/SiO₂界面の第一原理研究

First Principles Study of SiC/SiO₂ Interfaces towards Future Power Devices

著者 (8件)： SHIRAISHI K. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SHIRAISHI K. (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  CHOKAWA K. (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  SHIRAKAWA H. (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  ENDO K. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ARAIDAI M. (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KAMIYA K. (Kanagawa Inst. Technol., Atsugi, JPN) ,  WATANABE H. (Osaka Univ., Suita, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2014  ページ： 538-541  発行年： 2014年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCの熱酸化で形成したSiC/SiO₂界面には多くの界面トラップが含まれていることは既知のことである。SiC/SiO₂界面のトラップサイトとして,SiCの伝導体底近くに多くのトラップサイトがあることが報告されている。第一原理計算でSiC/SiO₂界面の本質的問題を明らかにした。SiC伝導体底の殆ど自由電子のような特性が,プロセスで誘起される歪によって,伝導帯底近くの予期せぬ界面準位形成の原因になっている。この結果から,高品質のNMOSFET製作には歪の無いプロセスが必要なことを示している。もう一つの提案は現在一般的なNMOSFETに代えてPMOSFETの開発である。そして,プロトン拡散によるV_th不安定性メカニズムも提案した。

シソーラス用語： 半導体素子 ,  *炭化ケイ素 ,  *二酸化ケイ素 ,  界面 ,  第一原理 ,  熱酸化 ,  キャリア捕獲 ,  計算 ,  導体 ,  陽子
準シソーラス用語： SiC ,  *パワーデバイス ,  *界面トラップ ,  第一原理計算 ,  電導体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： パワーデバイス ,  SiC ,  SiO2 ,  界面 ,  第一原理 ,  研究