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J-GLOBAL ID：201502272074518779   整理番号：15A0533129

ナノポーラス金の製造と低温基板ボンディングへの応用

Fabrication of nanoporous gold and the application for substrate bonding at low temperature

著者 (6件)： WANG Wei-Shan (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  LIN Yu-Ching (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  GESSNER Thomas (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  GESSNER Thomas (Fraunhofer ENAS, Chemnitz, DEU) ,  GESSNER Thomas (Chemnitz Univ. Technol., Chemnitz, DEU) ,  ESASHI Masayoshi (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 3  ページ： 030215.1-030215.7  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MEMSにコンパチブルはナノポーラス金の製法と低温ボンディングへの適用を報告する。Au-Sn合金デポジッション用にシアンフリーのメッキ液を用意した。Au-Sn合金とナノポーラス金に及ぼす電気メッキの影響調べる為に,異なるメッキパラメータと様々なサイズのパターンを設計し,論議した。最適化したメッキ条件で線幅40から720μのラインが同一基板上に形成された。低温基板ボンディングがナノポーラス金と金フィルムを用いて200°Cで実施され,そのボンドのせん断力は60MPa以上であった。せん断試験の後のボンディング箇所の破損検査はボンディングが成功であったことを確認した。本研究はオンチップへのナノ構造の製作を促し,ナノポーラス金が低温基板ボンディングに高い可能性を有していることを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *多孔性 ,  *金 ,  *ボンディング【IC】 ,  *基板 ,  MEMS ,  低温 ,  *金合金 ,  スズ含有合金 ,  めっき ,  *パラメータ ,  パターン形成 ,  剪断力 ,  微細加工 ,  *金属薄膜
準シソーラス用語： ナノ多孔性 ,  パターン生成 ,  リフトオフ

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (20件)：

• M. Esashi, J. Micromech. Microeng. 18, 073001 (2008).
• C.-T. Ko and K.-N. Chen, Microelectron. Reliab. 52, 302 (2012).
• R. Knechtel, 3rd IEEE Int Workshop Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D), 20 12, p. 258.
• M. Baum, C. Jia, M. Haubold, M. Wiemer, A. Schneider, H. Rank, A. Trautmann, and T. Gessner, 3rd Electronic System-Integration Technology Conf. (ESTC), 2010, p. 1.
• E. Higurashi, D. Chino, and T. Suga, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 15, 1500 (2009).

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノポーラス金 ,  低温 ,  ボンディング ,  応用