垂直温度勾配凝固法によって成長したGaドープの組成的に均質なSi<sub>0.68</sub>Ge<sub>0.32</sub>バルク結晶の高い力率

OMPRAKASH Muthusamy; ARIVANANDHAN Mukannan; KOYAMA Tadanobu; MOMOSE Yoshimi; IKEDA Hiroya; TATSUOKA Hirokazu; ASWAL Dinesh K.; BHATTACHARYA Shovit; OKANO Yasunori; OZAWA Tetsuo; INATOMI Yuko; BABU Sridharan Moorthy; HAYAKAWA Yasuhiro

文献

J-GLOBAL ID：201502280003312323 整理番号：15A0512686

垂直温度勾配凝固法によって成長したGaドープの組成的に均質なSi_0.68Ge_0.32バルク結晶の高い力率

High Power Factor of Ga-Doped Compositionally Homogeneous Si_0.68Ge_0.32 Bulk Crystal Grown by the Vertical Temperature Gradient Freezing Method

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資料名：
巻： 15 号： 3 ページ： 1380-1388 発行年： 2015年03月
JST資料番号： W1323A ISSN： 1528-7483 CODEN： CGDEFU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

組成的に均質で異なるGaドーピング濃度(1×10¹⁸と1×10¹⁹cm/³)の2種類のSi_0.68Ge_0.32バルク結晶(GSG1とGSG2)を種結晶と供給反応物界面の穏やかな温度勾配(0.57°C/mm)で成長させて,それらの熱電特性を研究した。GSG1結晶の中心範囲におけるエッチピット密度(EPD)は種結晶と供給反応物の界面と比較して低くなった。また,SiとSi_0.68Ge_0.32バルク結晶間の格子不整合によって生じた界面における高いEPDは結晶中に応力を引き起こして割れ目の周囲のエッチピットとしての欠陥を誘導した。これらのサンプルの電気抵抗率はキャリア濃度と移動率がほぼ等しいにも関わらず成長方向にそって変化した。この電気抵抗率の変化は結晶中のEPDの変化によるものと考えられる。電気抵抗率が高いGSG1結晶の界面付近では高いEPDが観測された。高温ではキャリア-キャリアとキャリア-フォノン散乱過程の結果,Seebeck係数が減少した。GSG1とGSG2のSeebeck係数はそれぞれ346と371μV/kになった。室温におけるGSG2結晶の力率(1820μW/m・K²)はGSG1結晶(1440μW/m・K²)よりやや高くなった。

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固-固界面 , 半導体の結晶成長 , 半導体結晶の電気伝導

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垂直温度勾配凝固法によって成長したGaドープの組成的に均質なSi0.68Ge0.32バルク結晶の高い力率

垂直温度勾配凝固法によって成長したGaドープの組成的に均質なSi_0.68Ge_0.32バルク結晶の高い力率